將納米氮化鈦添加到TiN/Al2O3復相納米陶瓷中，通過各種方法（如機械混合法）等將其混合均勻，得到的這種含有納米氮化鈦顆粒的陶瓷材料內部便形成導電網(wǎng)絡。這種材料可作為電子元件應用于半導體工業(yè)中。

（6）在鎂碳磚中添加一定量的TiN，能夠使鎂碳磚的抗渣侵蝕性得到很大程度的提高。

（7）氮化鈦是一種優(yōu)良的結構材料，可用于噴汽推進器以及火箭等。在軸承和密封環(huán)領域也多用氮化鈦合金，凸顯了氮化鈦優(yōu)異的應用效果。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

蒸發(fā)鍍膜過程中，從膜材表面蒸發(fā)的粒子以一定的速度在空間沿直線運動，直到與其他粒子碰撞為止。在真空室內，當氣相中的粒子濃度和殘余氣體的壓力足夠低時，這些粒子從蒸發(fā)源到基片之間可以保持直線飛行，否則，就會產生碰撞而改變運動方向。為此，增加殘余氣體的平均自由程，以減少其與蒸發(fā)粒子的碰撞幾率，把真空室內抽成高真空是必要的。當真空容器內蒸發(fā)粒子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離(以下稱蒸距)時，就會獲得充分的真空條件。設蒸距(蒸發(fā)源與基片的距離)為L，并把L看成是蒸發(fā)粒子已知的實際行程，λ為氣體分子的平均自由程，設從蒸發(fā)源蒸發(fā)出來的蒸汽分子數(shù)為N0，在相距為L的蒸發(fā)源與基片之間發(fā)生碰撞而散射的蒸汽分子數(shù)為N1，而且假設蒸發(fā)粒子主要與殘余氣體的原子或分子碰撞而散射，則有N1/N0=1-exp(L/λ)(1) 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

真空鍍膜室壁上單分子層所吸附的分子數(shù)Ns與氣相中分子數(shù)N的比值近似值。通常在常用的高真空系統(tǒng)中，其內表面上所吸附的單層分子數(shù)，遠遠超過氣相中的分子數(shù)。因此，除了蒸發(fā)源在蒸鍍過程中所釋放的氣體外，在密封和抽氣系統(tǒng)性能均良好和清潔的真空系統(tǒng)中，若氣壓處于10-4Pa時，從真空室壁表面上解吸出來的氣體分子就是真空系統(tǒng)內的主要氣體來源。真空下室壁單分子層所吸附的分子數(shù)與氣相分子數(shù)之比分子數(shù)與氣相分子數(shù)A-鍍膜室的內表面積，cm2;V-鍍膜室的容積，cm3;ns-單分子層內吸附分子數(shù)，個/cm2;n-氣相分子數(shù)，個/cm3 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

殘余氣體分子撞擊著真空室內的所有表面，包括正在生長著的膜層表面。在室溫和10-4Pa壓力下的空氣環(huán)境中，形成單一分子層吸附所需的時間只有2.2s。可見，在蒸發(fā)鍍膜過程中，如果要獲得高純度的膜層，必須使膜材原子或分子到達基片上的速率大于殘余氣體到達基片上的速率，只有這樣才能制備出純度好的膜層。這一點對于活性金屬材料基片更為重要，因為這些金屬材料的清潔表面的粘著系數(shù)均接近于1。在10-2Pa～10-4Pa壓力下蒸發(fā)時，膜材蒸汽分子與殘余氣體分子到達基片上的數(shù)量大致相等，這必將影響制備的膜層質量。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制