多弧離子PVD鍍膜設(shè)備　　

腔體結(jié)構(gòu)：  立式前開(kāi)門(mén)，臥式前開(kāi)門(mén)，后置真空獲得系統(tǒng)　　

材質(zhì)用料：  腔體采用SUS304不銹鋼材質(zhì)　　

離子弧源：  依據(jù)設(shè)備大小不同配備多套弧電源系統(tǒng)　　

偏壓電源：  配備大功率單級(jí)脈沖偏壓電源　　

多弧靶材：  標(biāo)配多套鈦靶或不銹鋼靶材　　

轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)： 變頻調(diào)速，公自轉(zhuǎn)結(jié)合，可采用上傳動(dòng)或下傳動(dòng)方式　　

真空系統(tǒng)（裝飾鍍膜設(shè)備Decorative coating）：擴(kuò)散泵（可選分子泵） 羅茨泵 機(jī)械泵 維持泵 深冷系統(tǒng)（可選）

氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術(shù)，它是利用物質(zhì)在氣相中產(chǎn)生的物理或(及)化學(xué)反應(yīng)而在產(chǎn)品表面沉積單層或多層的、單質(zhì)或化合物的膜層，從而使產(chǎn)品表面獲得所需的各種優(yōu)異性能。

氣相沉積作為一種表面鍍膜方法，其基本步驟有需鍍物料氣相化->輸運(yùn)->沉積。它的主要特點(diǎn)在于不管原來(lái)需鍍物料是固體、液體或氣體，在輸運(yùn)時(shí)都要轉(zhuǎn)化成氣相形態(tài)進(jìn)行遷移，終到達(dá)工件表面沉積凝聚成固相薄膜。

PCVD工藝參數(shù)包括微觀參數(shù)和宏觀參數(shù)。微觀參數(shù)如電子能量、等離子體密度及分布函數(shù)、反應(yīng)氣體的離解度等。宏觀參數(shù)對(duì)于真空系統(tǒng)有，氣體種類(lèi)、配比、流量、壓強(qiáng)、抽速等；對(duì)于基體來(lái)說(shuō)有，沉積溫度、相對(duì)位置、導(dǎo)電狀態(tài)等；對(duì)于等離子體有，放電種類(lèi)、頻率、電極結(jié)構(gòu)、輸進(jìn)功率、電流密度、離子溫度等。以上這些參數(shù)都是相互聯(lián)系、相互影響的。

直流等離子體化學(xué)氣相沉積（DC-PCVD）

DC-PCVD是利用高壓直流負(fù)偏壓（-1～-5kV），使低壓反應(yīng)氣體發(fā)生輝光放電產(chǎn)生等離子體，等離子體在電場(chǎng)作用下轟擊工件，并在工件表面沉積成膜。

直流等離子體比較簡(jiǎn)單，工件處于陰極電位，受其外形、大小的影響，使電場(chǎng)分布不均勻，在陰極四周壓降，電場(chǎng)強(qiáng)度，正由于有這一特點(diǎn)，所以化學(xué)反應(yīng)也集中在陰極工件表面，加強(qiáng)了沉積效率，避免了反應(yīng)物質(zhì)在器壁上的消耗。缺點(diǎn)是不導(dǎo)電的基體或薄膜不能應(yīng)用。由于陰極上電荷的積累會(huì)排斥進(jìn)一步的沉積，并會(huì)造成積累放電，破壞正常的反應(yīng)。