物理氣相沉積和化學氣相沉積的區(qū)別

化學氣相沉積過程中有化學反應，多種材料相互反應，生成新的的材料。

物理氣相沉積中沒有化學反應，材料只是形態(tài)有改變。

物理氣相沉積技術工藝過程簡單，對環(huán)境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結合力強。

化學雜質難以去除。優(yōu)點可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好

以上內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！

ICP刻蝕機的原理

感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導率能達到純銥或者純鉑的百倍以上。

想要了解更多沈陽鵬程真空技術有限責任公司的相關信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話！

ICP刻蝕機的操作及判斷

1. 確認萬用表工作正常，量程置于200mV。

2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連。

3.用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為P 型，刻蝕合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類型是否為P型。

4.如果經(jīng)過檢驗，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進行刻蝕。

沈陽鵬程真空技術有限責任公司以誠信為首 ,服務至上為宗旨。公司生產(chǎn)、銷售ICP刻蝕機,公司擁有強大的銷售團隊和經(jīng)營理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！