光刻膠

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應(yīng)美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設(shè)計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。下游發(fā)展趨勢光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。當顯影后NR9-3000PY顯示出負的側(cè)壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢：

芯片光刻的流程詳解（一）

在集成電路的制造過程中，有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能。現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。今年5月，02重大專項實施管理辦公室組織任務(wù)驗收專家組、財務(wù)驗收專家組通過了“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術(shù)研究”項目的任務(wù)驗收和財務(wù)驗收。經(jīng)過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。

Niepce的發(fā)明100多年后，即第二次大戰(zhàn)期間才應(yīng)用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。同種厚度的正負膠，在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當時分辨率5um，如今除可見光光刻之外，更出現(xiàn)了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。

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2,涂膠，在硅片覆蓋，旋轉(zhuǎn)，離心力，在硅片表面通過旋轉(zhuǎn)的光刻膠，工藝參數(shù)3000-6000rpm   膠膜厚0.5-1um， 

3,前烘，通過在較高溫度下進行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發(fā)，溶劑將至5%左右，同時增強與襯底的粘附性。前烘方法：熱平板傳導，干燥循環(huán)熱風提高附著力，紅外線輻射。

烘箱前烘條件：90-100度，10-20min，前烘時間與溫度應(yīng)適當，如太長或溫度太高，光刻膠層變脆而附著力下降，而前烘不足會影響后面的顯影效果。

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5,顯影液

在已經(jīng)曝光的硅襯底膠面噴淋顯影液，或?qū)⑵浣菰陲@影液中，正膠是曝光區(qū)、而負膠是非曝光區(qū)的膠膜溶入顯影液，膠膜中的潛影顯現(xiàn)出來，形成三維圖像。