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光刻膠:用化學(xué)反應(yīng)進行圖像轉(zhuǎn)移的媒介
光刻膠具有光化學(xué)敏感性,其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝,可以將設(shè)計好的微細圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。
光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專用化學(xué)品,生產(chǎn)而得的不同類型的光刻膠被應(yīng)用于消費電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內(nèi)的各個下游終端領(lǐng)域,需求較為分散。
光刻膠基于應(yīng)用領(lǐng)域不同一般可以分為半導(dǎo)體集成電路(IC)光刻膠、 PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個大類。其中, PCB光刻膠占全球市場24.5%,半導(dǎo)體IC光刻膠占全球市場24.1%,LCD光刻膠占全球市場26.6%。
PR1-1000A1NR75 1000HP光刻膠公司NR75 1000HP光刻膠公司
5,顯影液
在已經(jīng)曝光的硅襯底膠面噴淋顯影液,或?qū)⑵浣菰陲@影液中,正膠是曝光區(qū)、而負膠是非曝光區(qū)的膠膜溶入顯影液,膠膜中的潛影顯現(xiàn)出來,形成三維圖像。
顯影完成后通常進行工藝線的顯影檢驗,通常是在顯微鏡下觀察顯影效果,顯影是否徹底、光刻膠圖形是否完好。
影響顯影的效果主要因素:
1,曝光時間,2前烘溫度和時間,3光刻膠膜厚,4顯影液濃度溫度,5顯影液的攪動情況。
NR9-1000py
問題回饋:
1.我們是LED制造商,麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。
A 據(jù)我所知,F(xiàn)uturrex
有幾款膠很,NR7-1500P
NR7-3000P是專門為離子蝕刻
設(shè)計的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。
2.請問有沒有可以替代goodpr1518,Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品?
A 美國光刻膠,F(xiàn)uturrex
正膠PR1-2000A
, 去膠液RR4,和顯影液RD6可以解決以上問題。
3.你們是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品?
A 我們建議使用Futurrex
PR1-500A , 它有幾個優(yōu)點:比較好的解析度,比較好的線寬控制,
反射比較少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~
4. 求助,耐高溫的光阻是那一種?
A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻),再經(jīng)過HMCTS
silyiation process,可以達到耐高溫200度,PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。
5.厚膜光阻在鍍金應(yīng)用上,用哪一種比較理想?
A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的濕膜更加適合,和理想。
6.請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合?
A 可以考慮使用Futurrex
,正型光阻PR1,負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7.請問,那位專家知道,RIE
Mask,用什么光阻比較好?
A 正型光阻用PR1系列,負型光阻使用NR5,兩種都可以耐高溫180度。
8.一般厚膜制程中,哪一種光阻適合?
A NR9-8000P有很高的深寬比(超過4:1),一般厚膜以及,MEMS產(chǎn)品的高需求。
9.在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎?
A 建議不使用,因為使用NR5-8000更加理想和適合。
10.我們是OLED,我們有一種制程上需要一層SPACER,那種光阻適合?
A 有一種膠很適合,美國Futurrex
生產(chǎn)的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers
美國Futurre光刻膠
30.想請教國產(chǎn)光刻膠不能達到膜厚要求,進口的有沒有比較好的光刻膠?。?
都可以?。oodpr是大陸比較多公司采用的,
但是Futurre 光刻膠在國外是比較有名氣的,包括很多大型企業(yè)都有用,膜厚做的也
比較厚從18um-200um都 可以做到,看你對工藝的要求了。
光刻膠品牌FUTURRE光刻膠產(chǎn)品屬性:
1 FUTURRE光刻膠產(chǎn)品簡要描述及優(yōu)勢:
1.1 Futurre光刻膠黏附性好,無需使用增粘劑(HMDS)
1.2 負性光刻膠常溫下可保存3年
1.3 150度烘烤,縮短了烘烤時間
1.4 單次旋涂能夠達到100um膜厚
1.5 顯影速率快,100微米的膜厚,僅需6~8分鐘