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發(fā)布時間：2020-10-30 08:16

光刻膠市場

據(jù)統(tǒng)計資料顯示，2017年中國光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達到7.56萬噸，較2016年增加0.29萬噸，其中，中國本土光刻膠產(chǎn)量為4.41萬噸，與7.99萬噸的需求量差異較大，說明我國供給能力還需提升。

國內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領(lǐng)域，代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。

在半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域，隨著汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展，會在一定程度上增加對G線、I線的需求，利好G線、I線等生產(chǎn)企業(yè)。A正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。預(yù)計G線正膠今后將占據(jù)50%以上市場份額，I線正膠將占據(jù)40%左右的市場份額，DUV等其他光刻膠約占10%市場份額，給予北京科華、蘇州瑞紅等國內(nèi)公司及美國futurrex的光刻膠較大市場機會。

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。政策扶持為促進我國光刻膠產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國家02重大專項給予了大力支持。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。

芯片光刻的流程詳解（一）

在集成電路的制造過程中，有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能?，F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復(fù)一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。隨著光刻分辨力的提高，對準精度要求也越來越高，例如針對45am線寬尺寸，對準精度要求在5am左右。經(jīng)過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。

Niepce的發(fā)明100多年后，即第二次大戰(zhàn)期間才應(yīng)用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。只有在應(yīng)用過程中才能發(fā)現(xiàn)問題，解決問題，不斷提升技術(shù)、工藝與產(chǎn)品水平，實現(xiàn)我國關(guān)鍵電子化學(xué)品材料的國產(chǎn)化，完善我國集成電路的產(chǎn)業(yè)鏈，滿足國家和重點產(chǎn)業(yè)的需求。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當(dāng)時分辨率5um，如今除可見光光刻之外，更出現(xiàn)了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。

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