光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料，可以在光照后發(fā)生化學性質(zhì)的改變，這是整個工藝的基礎(chǔ)。

光刻膠有不同的類型，PMMA（PMGI）以及DNQ（酚醛樹脂）等材料都可以做光刻膠。

 目前光刻膠市場上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家，包括 FUTURREX、陶氏化學、杜邦、富士膠片、信越化學、住友化學、LG化學等等，中國公司在光刻膠領(lǐng)域也缺少核心技術(shù)。

正負光刻膠

正負光刻膠

光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠! 正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面，(由真空負壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。同種厚度的正負膠，在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術(shù)參數(shù)。

PCB穩(wěn)定

PCB被譽為'電子產(chǎn)品'，廣泛應用于各個電子終端。2016年，全球PCB市場規(guī)模達542.1億美元。2010年到2015年期間，國際光刻膠市場年復合增長率約為5。國外研究機構(gòu)預測，PCB市場年復合增長率可達3%，到2020年，PCB全球市場規(guī)模將達到610億美元；中國在2020年P(guān)CB產(chǎn)值有望達到311億美元，在2015-2020年期間，年復合增長率略高于國際市場，為3.5%。得益于PCB行業(yè)發(fā)展剛需，我國PCB光刻膠需求空間巨大。

光刻膠去除

半導體器件制造技術(shù)中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉(zhuǎn)移到半導體結(jié)構(gòu)表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。

在現(xiàn)有技術(shù)中，去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導體結(jié)構(gòu)置于去膠機內(nèi)，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發(fā)生反應，從而將光刻膠層去除。

而在一些半導體器件設計時，考慮到器件性能要求，需要對特定區(qū)域進行離子注入，使其滿足各種器件不同功能的要求。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。一部分閃存產(chǎn)品前段器件形成時，需要利用前面存儲單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層，在摻雜的過程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠外面形成一層堅硬的外殼。

這層堅硬的外殼可以采取兩種現(xiàn)有方法去除:方法一，采用濕法刻蝕，但這種工藝容易產(chǎn)生光刻膠殘留；方法二，先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼，再采用傳統(tǒng)的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法，但是這種方式增加了一步工藝流程，浪費能源，而且降低了生產(chǎn)效率；同時，傳統(tǒng)的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時，光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內(nèi)部的熱量的散發(fā)，光刻膠內(nèi)部膨脹應力增大，導致層多晶硅倒塌的現(xiàn)象。目前，國外阻抗已達到15次方以上，而國內(nèi)企業(yè)只能做到10次方，滿足不了客戶工藝要求和產(chǎn)品升級的要求，有的工藝雖達標了，但批次穩(wěn)定性不好。