如何選購光刻膠？

光刻加工工藝中為了圖形轉(zhuǎn)移，輻照必須作用在光刻膠上，通過改變光刻膠材料的性質(zhì)，使得在完成光刻工藝后，光刻版圖形被在圓片的表面。而加工前，如何選用光刻膠在很大程度上已經(jīng)決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是的，但實際應(yīng)用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮，需要對光刻膠進行合理的選擇。

劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后，被浸入顯影溶液中。在顯影過程中，正性光刻膠曝過光的區(qū)域溶解得要快得多。理想情況下，未曝光的區(qū)域保持不變。負(fù)性光刻膠正好相反，在顯影劑中未曝光的區(qū)域?qū)⑷芙猓毓獾膮^(qū)域被保留。正性膠的分辨力往往是的，因此在IC制造中的應(yīng)用更為普及，但MEMS系統(tǒng)中，由于加工要求相對較低，光刻膠需求量大，負(fù)性膠仍有應(yīng)用市場。

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光刻膠的參數(shù)介紹

1．對比度（Contrast）

對比度指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。 對比度越好，越容易形成側(cè)壁陡直的圖形和較高的寬高比。

2．粘滯性/黏度 （Viscosity）

衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。黏度通?？梢允褂霉饪棠z中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據(jù)濃度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。

3．抗蝕性（Anti-etching）

光刻膠必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。  

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光刻膠的核心參數(shù)是什么？

分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展，芯片制造特征尺寸越來越小，對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要，光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發(fā)展。

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