光刻膠工藝

主要用于半導體圖形化工藝，是半導體制造過程中的重要步驟。光刻工藝利用化學反應原理把事先制備在掩模上的圖形轉印到晶圓，完成工藝的設備光刻機和光刻膠都是占半導體芯片工廠資產的大頭。

在目前比較主流的半導體制造工藝中，一般需要40 步以上獨立的光刻步驟，貫穿了半導體制造的整個流程，光刻工藝的先進程度決定了半導體制造工藝的先進程度。光刻過程中所用到的光刻機是半導體制造中的核心設備。目前，ASML 的NXE3400B售價在一億歐元以上，媲美一架F35 戰(zhàn)斗機。

按曝光波長，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。按照應用領域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示（LCD）用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術先進水平。

光刻膠的作用

光刻開始于-種稱作光刻膠的感光性液體的應用。 圖形能被映射到光刻膠上，然后用一個developer就能做出需 要的模板圖案。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是以智能

管感光材料，在光的照射與溶解度發(fā)生變化。

光刻膠成份

光刻膠通常有三種成分:感光化臺物、基體材料和溶劑。在感光化臺物中有時還包括增感劑。根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類:負性光刻膠和

正性光刻膠。

1、負性光刻膠

主要有聚酸系(聚酯膠)和環(huán)化橡膠系兩大類

2、正性光刻膠

主要以重氮醒為感光化臺物，以酚醛樹脂為基體材料。正膠的主要優(yōu)點是分辨率高，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。

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光刻膠分類介紹

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根據化學反應機理和顯影原理的不同，光刻膠可以分為負性膠和正性膠。對某些溶劑可溶，但經曝光后形成不可溶物質的是負性膠;反之，對某些溶劑不可溶，經曝光后變成可溶的為正性膠。  從需求端來看，光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導體光刻膠的技術壁壘較高。

光刻膠產品種類多、專用性強，是典型的技術密集型行業(yè)。不同用途的光刻膠曝光光源、反應機理、制造工藝、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同，導致對于材料的溶解性、耐蝕刻性、耐熱性等要求不同。因此每一類光刻膠使用的原料在化學結構、性能上都比較特殊，要求使用不同品質等級的光刻膠專用化學品。

硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

注意事項：

①若腐蝕液為堿性，則不宜用正性光刻膠；

②看光刻機型式,若是投影方式,用常規(guī)負膠時氮氣環(huán)境可能會有些問題

③負性膠價格成本低，正性膠較貴；

④工藝方面：負性膠能很好地獲得單根線，而正性膠可獲得孤立的洞和槽；

⑤健康方面：負性膠為有機溶液處理，不利于環(huán)境；正性膠屬于水溶液，對健康、環(huán)境無害。

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