電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

擴散工藝

擴散目的

在來料硅片 P 型硅片的基礎上擴散一層 N 型磷源，形成 PN 結。

擴散原理

POCl 3 在高溫下 （ > 600 ℃ ） 分解生成五氯化磷 （ PCl 5 ） 和五氧化二磷 （ P 2 O 5 ）， 其反應式如下 ：

5POCl 3=3PCl 5 P 2 O 5

生成的 P 2 O 5 在擴散溫度下與硅反應 ， 生成二氧化硅 （ SiO 2 ） 和磷原子 ， 其反應式如下 ：

2P 2 O 5 5Si = 5SiO 2   4PPOCl 3

熱分解時，如果沒有外來的氧（ O 2 ）參與其分解是不充分的，生成的 PCl5 是不易分解的，并且對硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。但在有外來 O2 存在的情況下， PCl 5 會進一步分解成 P2O 5 并放出氯氣（ Cl 2 ）其反應式如下：  

4PCl 5 5O 2=2P 2 O 5 10Cl 2  

生成的 P 2 O 5 又進一步與硅作用，生成 SiO 2 和磷原子，由此可見，在磷擴散時，為了促使 POCl3 充分的分解和避免 PCl 5 對硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮氣的同時通入一定流量的氧氣。就這樣 POCl 3 分解產生的 P 2 O 5 淀積在硅片表面， P 2O 5 與硅反應生成 SiO 2 和磷原子，并在硅片表面形成一層磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中進行擴散。

電池片各工序影響因素及異常情況

電池片各工藝流程危害要素及異?，F(xiàn)象 

4.NaOH產生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對密度類似沒受NaOH濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉變比較顯著，濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過段時間后，金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時，各向異性系數(shù)縮小，絨面會愈來愈差，類似打磨拋光?？煽匦运剑号cIPA相近，線性度不高。 

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效，使反映不會很強烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點，生長發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點兒Na2SiO3多的那時候要立即的排出去，Na2SiO3傳熱性差，會危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易產生水流、花藍印和表層黑斑?？煽匦运剑簺]辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘渣硫酸具備酸和絡合劑的雙向功效，硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產生可溶解與水的絡合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

基準點1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對密度高，尺寸適度，勻稱。

操縱范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒有白斑病，贓污。

電池片絲網(wǎng)印刷技術

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片絲網(wǎng)印刷技術

1  引言  

隨著全球能源的日趨緊張，太陽能以無污染、市場空間大等獨有的優(yōu)勢受到世界各國的廣泛重視，國際上眾多大公司投入太陽能電池研發(fā)和生產行業(yè)。從太陽能獲得電力，需通過太陽能電池進行光電變換來實現(xiàn)，硅太陽能電池是一種有效地吸收太陽能輻射并使之轉化為電能的半導體電子器件，廣泛應用于各種照明及發(fā)電系統(tǒng)中。

2  硅太陽能電池的生產工序  

太陽能電池原理主要是以半導體材料硅為基體，利用擴散工藝在硅晶體中摻入雜質：當摻入硼、磷等雜質時，硅晶體中就會存在著一個空穴，形成 n 型半導體；同樣，摻入磷原子以后，硅晶體中就會有一個電子，形成 p 型半導體， p 型半導體與 n 型半導體結合在一起形成 pn 結，當太陽光照射硅晶體后， pn 結中 n 型半導體的空穴往 p 型區(qū)移動，而 p 型區(qū)中的電子往 n 型區(qū)移動，從而形成從 n 型區(qū)到 p 型區(qū)的電流，在 pn 結中形成電勢差，這就形成了電源。

硅太陽能電池生產的主要工序，從中可以看出絲網(wǎng)印刷是生產太陽能電池的重要工序，其印刷質量（厚度，寬度，膜厚一致性）影響電池片的技術指標。