刻蝕過(guò)程

普通的刻蝕過(guò)程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過(guò)掩模對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同，經(jīng)過(guò)顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對(duì)襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層，則選擇腐蝕以后，圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。

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刻蝕機(jī)

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來(lái)衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對(duì)其上的掩膜和其下的襯底沒(méi)有刻蝕。事實(shí)上，以上三個(gè)部分都會(huì)被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來(lái)衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對(duì)薄膜的刻蝕速率，U為對(duì)掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個(gè)硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，等離子刻蝕機(jī)尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個(gè)重要指標(biāo)，它用來(lái)衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

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離子束刻蝕機(jī)

離子束是指以近似一致的速度沿幾乎同一方向運(yùn)動(dòng)的一群離子。離子源用以獲得離子束的裝置。在各類離子源中，用得較多的是等離子體離子源，即用電場(chǎng)將離子從一團(tuán)等離子體中引出來(lái)。這類離子源的主要參數(shù)由等離子體的密度、溫度和引出系統(tǒng)的質(zhì)量決定。屬于這類離子源的有:潘寧放電型離子源射頻離子源、微波離子源、雙等離子體源、富立曼離子源等。另一類使用較多的離子源是電子碰撞型離子源，主要用于各種質(zhì)譜儀器中。