濺射鍍膜機濺射鍍技術優(yōu)點

濺射鍍膜機濺射鍍技術應用  蒸發(fā)和磁控濺射兩用立式裝飾鍍膜機，主要適用于塑料、陶瓷、玻璃金屬材料表面鍍制金屬化裝飾膜。直流磁控濺射技術為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀開發(fā)出了直流磁控濺射技術，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應用。由于鍍膜室為立式容器，所以它具有臥式鍍膜機的一切優(yōu)點，   又利于自重較大的、易碎的鍍件裝卡，更可方便地實現(xiàn)自動生產線，是替代傳統(tǒng)濕法水電鍍的更為理想的新一代真空鍍膜設備。本機鍍部分產品可不做底油。本機主 要特點配用改進型高真空排氣系統(tǒng)，抽速快、、節(jié)電、降噪和延長泵使用壽命;實現(xiàn)蒸發(fā)、磁控濺射、自動控制，操作簡單，工作可靠。

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直流磁控濺射技術

為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀開發(fā)出了直流磁控濺射技術，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應用。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。對于靜態(tài)直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無相對運動且靶材直接與冷卻水接觸的靶，?靶材利用率數(shù)據(jù)多在20%~30%左右(間冷靶相對要高一些，但其被刻蝕過程與直冷靶相同，不作專門討論)，且多為估計值。

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磁控濺射鍍膜機原理

由此可見，濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進行能量交換的過程，入射離子轉移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉化為晶格的振動。濺射原子大多數(shù)來自靶表面零點幾納米的淺表層，可以認為靶材濺射時原子是從表面開始剝離的。如果轟擊離子的能量不足，則只能使靶材表面的原子發(fā)生振動而不產生濺射。如果轟擊離子能量很高時，濺射的原子數(shù)與轟擊離子數(shù)之比值將減小，這是因為轟擊離子能量過高而發(fā)生離子注入現(xiàn)象的緣故。隨著液晶顯示器技術向高精細化和大型化發(fā)展,磁控濺射法備受歡迎。

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磁控濺射鍍膜機

由于ITO 薄膜的導電屬于n 型半導體性質,即其導電機制為還原態(tài)In2O3 放出兩個電子,成為氧空穴載流子和In3 ,被固溶的四價摻錫置換后放出一個電子成為電子載流子。顯然,不論哪一種導電機制,載流子密度均與濺射成膜時的氧含量有很大關系。隨著氧含量的增加,當膜的組分接近化學配比時,遷移率有所增加,但卻使載流子密度有所減少。這兩種效應的綜合結果是膜的光電性能隨氧含量的變化呈極值現(xiàn)象。對應極值的氧含量直接決定著“工藝窗口”的寬窄,它與成膜時的基底溫度、氣流量及膜的沉積速率等參數(shù)有關。在真空環(huán)境中向靶材（陰極）下充入工藝氣體氣（Ar），氣在外加電場（由直流或交流電源產生）作用下發(fā)生電離生成離子（Ar ），同時在電場E的作用下，離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產生濺射。為便于控制氧含量,我們采用混合比為85∶15 的氧混合氣代替純氧,氣體噴孔的設計保證了基底各處氧分子流場的均勻性。

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