磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)的特點(diǎn)

(1)鋼件形變小因?yàn)殇摷韺觿蚍Q遮蓋輝光，溫度完整性好，能夠根據(jù)操縱輸出功率輸出來保持勻稱提溫。另一個陰極無心插柳相抵了滲人原素造成的規(guī)格擴(kuò)一整 

(2)滲層的機(jī)構(gòu)和構(gòu)造易于控制根據(jù)調(diào)節(jié)加工工藝主要參數(shù)，可獲得單相電或多相的滲層機(jī)構(gòu) 

(3)鋼件不必額外清除陰極無心插柳能夠合理除去空氣氧化膜，清潔鋼件表層，一起真空泵解決無新生兒空氣氧化膜，這種都降低了額外機(jī)器設(shè)備和綜合工時(shí)，減少了成本費(fèi)。 

(4)防水層便捷不需滲的地區(qū)可簡易地遮掩起來，對自然環(huán)境綠色食品，零污染，勞動者標(biāo)準(zhǔn)好。 

(5)經(jīng)濟(jì)收益高，耗能小盡管原始機(jī)器設(shè)備項(xiàng)目投資很大，但加工工藝成本費(fèi)極低，是這種便宜的工程設(shè)計(jì)方式 。除此之外，離子轟擊滲擴(kuò)技術(shù)性易保持加工工藝全過程或滲層品質(zhì)的運(yùn)動控制系統(tǒng)，品質(zhì)可重復(fù)性好，可執(zhí)行性強(qiáng)。

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磁控濺射鍍膜機(jī)的工作原理

控濺射原理電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動，該電子的運(yùn)動路徑很長，在運(yùn)動過程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材，終沉積在基片上。 磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運(yùn)動路徑，改變電子的運(yùn)動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運(yùn)動。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關(guān)系。 在機(jī)理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在此原理下工作。在裝飾設(shè)計(jì)裝飾品上的運(yùn)用：手機(jī)套、表帶、眼鏡框、五金配件、裝飾品等鍍一層薄薄的膜。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已。

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磁控濺射鍍膜機(jī)原理

由此可見，濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進(jìn)行能量交換的過程，入射離子轉(zhuǎn)移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉(zhuǎn)化為晶格的振動。濺射原子大多數(shù)來自靶表面零點(diǎn)幾納米的淺表層，可以認(rèn)為靶材濺射時(shí)原子是從表面開始剝離的。如果轟擊離子的能量不足，則只能使靶材表面的原子發(fā)生振動而不產(chǎn)生濺射。如果轟擊離子能量很高時(shí)，濺射的原子數(shù)與轟擊離子數(shù)之比值將減小，這是因?yàn)檗Z擊離子能量過高而發(fā)生離子注入現(xiàn)象的緣故。做窗膜磁控濺射鍍膜的應(yīng)多去看看玻璃行業(yè)的low-e鍍膜，多些交流。

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