磁控濺射鍍膜機(jī)工藝

關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化

關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化基于實(shí)驗(yàn)探索。實(shí)驗(yàn)是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設(shè)備上進(jìn)行的。目前沒(méi)有見(jiàn)到對(duì)磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報(bào)道，而從理論上對(duì)磁控濺射靶材利用率近似計(jì)算的探討具有實(shí)際意義。該設(shè)備的鍍膜室采用內(nèi)腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀,抽氣系統(tǒng)采用兩套K600 擴(kuò)散泵機(jī)組,靶材采用德國(guó)Leybold 公司生產(chǎn)的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。

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磁控濺射鍍膜機(jī)

由于ITO 薄膜的導(dǎo)電屬于n 型半導(dǎo)體性質(zhì),即其導(dǎo)電機(jī)制為還原態(tài)In2O3 放出兩個(gè)電子,成為氧空穴載流子和In3 ,被固溶的四價(jià)摻錫置換后放出一個(gè)電子成為電子載流子。顯然,不論哪一種導(dǎo)電機(jī)制,載流子密度均與濺射成膜時(shí)的氧含量有很大關(guān)系。隨著氧含量的增加,當(dāng)膜的組分接近化學(xué)配比時(shí),遷移率有所增加,但卻使載流子密度有所減少。同時(shí)，經(jīng)過(guò)多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過(guò)熱。這兩種效應(yīng)的綜合結(jié)果是膜的光電性能隨氧含量的變化呈極值現(xiàn)象。對(duì)應(yīng)極值的氧含量直接決定著“工藝窗口”的寬窄,它與成膜時(shí)的基底溫度、氣流量及膜的沉積速率等參數(shù)有關(guān)。為便于控制氧含量,我們采用混合比為85∶15 的氧混合氣代替純氧,氣體噴孔的設(shè)計(jì)保證了基底各處氧分子流場(chǎng)的均勻性。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

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靶zhong毒的物理解釋

（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當(dāng)發(fā)生靶zhong毒時(shí)，濺射電壓會(huì)顯著降低。由金屬靶面通過(guò)反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過(guò)程中，化合物是在哪里形成的呢。（2）金屬靶材與化合物靶材本來(lái)濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶zhong毒后濺射速率低。（3）反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來(lái)就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。