磁控濺射鍍膜機(jī)

目前認(rèn)為濺射現(xiàn)象是彈性碰撞的直接結(jié)果，濺射完全是動(dòng)能的交換過(guò)程。當(dāng)正離子轟擊陰極靶，入射離子當(dāng)初撞擊靶表面上的原子時(shí)，產(chǎn)生彈性碰撞，它直接將其動(dòng)能傳遞給靶表面上的某個(gè)原子或分子，該表面原子獲得動(dòng)能再向靶內(nèi)部原子傳遞，經(jīng)過(guò)一系列的級(jí)聯(lián)碰撞過(guò)程，當(dāng)其中某一個(gè)原子或分子獲得指向靶表面外的動(dòng)量，并且具有了克服表面勢(shì)壘(結(jié)合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。濺射鍍膜機(jī)濺射鍍技術(shù)優(yōu)點(diǎn)濺射鍍膜機(jī)濺射鍍技術(shù)應(yīng)用蒸發(fā)和磁控濺射兩用立式裝飾鍍膜機(jī)，主要適用于塑料、陶瓷、玻璃金屬材料表面鍍制金屬化裝飾膜。

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磁控濺射鍍膜機(jī)技術(shù)原理

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)是通過(guò)真空磁控濺射鍍膜機(jī)實(shí)現(xiàn)的，鍍膜機(jī)內(nèi)由不同級(jí)別的真空泵抽氣，在系統(tǒng)內(nèi)營(yíng)造出一個(gè)鍍膜所需的真空環(huán)境，真空度要達(dá)到鍍膜所需的本底真空，一般在（1~5）×10-8 Pa。在真空環(huán)境中向靶材（陰極）下充入工藝氣體氣（Ar），氣在外加電場(chǎng)（由直流或交流電源產(chǎn)生）作用下發(fā)生電離生成離子（Ar ），同時(shí)在電場(chǎng)E的作用下，離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產(chǎn)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉積在PET基片上形成薄膜。同時(shí)被濺射出的二次電子在陰極暗區(qū)被加速，在飛向基片的過(guò)程中，落入設(shè)定的正交電磁場(chǎng)的電子阱中，直接被磁場(chǎng)的洛倫茲力束縛，使其在磁場(chǎng)B的洛倫茲力作用下，以旋輪線和螺旋線的復(fù)合形式在靶表面附近作回旋運(yùn)動(dòng)。電子e的運(yùn)動(dòng)被電磁場(chǎng)束縛在靠近靶表面的等離子區(qū)域內(nèi)，使其到達(dá)陽(yáng)極前的行程大大增長(zhǎng)，大大增加碰撞電離幾率，使得該區(qū)域內(nèi)氣體原子的離化率增加，轟擊靶材的高能Ar 離子增多，從而實(shí)現(xiàn)了磁控濺射高速沉積的特點(diǎn)。在運(yùn)用該機(jī)理開發(fā)磁控膜的過(guò)程中，要注意以下幾個(gè)問題：①保證整體工藝中各個(gè)環(huán)節(jié)的可靠性。具體包括靶材質(zhì)量、工藝氣體純度、原膜潔凈程度、原膜質(zhì)量等基礎(chǔ)因素，這一系列因素會(huì)對(duì)鍍膜產(chǎn)品的終質(zhì)量產(chǎn)生影響。②選擇合適的靶材。磁控濺射靶在鍍膜過(guò)程中的重要作用???磁控濺射靶是真空磁控濺射鍍膜的核心部件，它的重要作用主要表現(xiàn)在以下兩個(gè)方面(1)對(duì)于大面積表面的鍍膜，磁控濺射靶影響著膜層的均勻性與重復(fù)性。要建立的膜系是通過(guò)對(duì)陰極的前后順序布置實(shí)現(xiàn)的。③控制好各環(huán)節(jié)的工藝性能及參數(shù)。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應(yīng)氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等?？傊挥锌刂坪靡陨细饕蛩?，才能夠保證所開發(fā)的鍍膜PET具有穩(wěn)定的顏色、優(yōu)異的性能和耐久性。

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磁控濺射鍍膜的優(yōu)點(diǎn)

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術(shù)之一，磁控濺射鍍膜技術(shù)正廣泛應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光學(xué)膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜，在國(guó)1防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)中的作用和地位日益強(qiáng)大。鍍膜工藝中的薄膜厚度均勻性，沉積速率，靶材利用率等方面的問題是實(shí)際生產(chǎn)中十分關(guān)注的。3）漸變反射膜漸變反射膜是一種在不同角度觀察，反射的顏色不同的膜層。磁控濺射鍍膜儀廠家?guī)懔私飧啵?

磁控濺射技術(shù)發(fā)展過(guò)程中各項(xiàng)技術(shù)的突破一般集中在等離子體的產(chǎn)生以及對(duì)等離子體進(jìn)行的控制等方面。通過(guò)對(duì)電磁場(chǎng)、溫度場(chǎng)和空間不同種類粒子分布參數(shù)的控制，使膜層質(zhì)量和屬性滿足各行業(yè)的要求。

膜厚均勻性與磁控濺射靶的工作狀態(tài)息息相關(guān)，如靶的刻蝕狀態(tài)，靶的電磁場(chǎng)設(shè)汁等。

濺射鍍膜膜厚均勻性是間接衡量鍍膜工藝的標(biāo)準(zhǔn)之一，它涉及鍍膜過(guò)程的各個(gè)方面。因此，制備膜厚均勻性好的薄膜需要建立一個(gè)濺射鍍膜膜厚均勻性綜合設(shè)計(jì)系統(tǒng)，對(duì)濺射鍍膜的各個(gè)方面進(jìn)行分類、歸納和總結(jié)，找出其內(nèi)在聯(lián)系。

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊ya氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便。這是因?yàn)榘校帢O），等離子體，和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。

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我國(guó)真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

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真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù)，是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。隨著全球制造業(yè)高速發(fā)展，真空鍍膜技術(shù)應(yīng)用越來(lái)越廣泛。近年來(lái)急速鍍膜的復(fù)興與發(fā)展已經(jīng)作為人們炙手可熱的一種新興的薄膜制備技術(shù)而活躍在真空鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域中。從半導(dǎo)體集成電路、LED、顯示器、觸摸屏、太陽(yáng)能光伏、化工、制藥等行業(yè)的發(fā)展來(lái)看，對(duì)真空鍍膜設(shè)備、技術(shù)、材料需求都在不斷增加，包括制造大規(guī)模集成電路的電學(xué)膜;數(shù)字式縱向與橫向均可磁化的數(shù)據(jù)紀(jì)錄儲(chǔ)存膜;充分展示和應(yīng)用各種光學(xué)特性的光學(xué)膜;計(jì)算機(jī)顯示用的感光膜;TFT、PDP平面顯示器上的導(dǎo)電膜和增透膜;建筑、汽車行業(yè)上應(yīng)用的玻璃鍍膜和裝飾膜;包裝領(lǐng)域用防護(hù)膜、阻隔膜;裝飾材料上具有各種功能裝飾效果的功能膜;工、模具表面上應(yīng)用的耐磨超硬膜;納米材料研究方面的各種功能性薄膜等。