離子刻蝕簡介

離子刻蝕是利用高能量惰性氣體離子轟擊被刻蝕物體的表面，達到濺射刻蝕的作用。因為采用這種方法，所以可以得到非常小的特征尺寸和垂直的側(cè)壁形貌。這是一種“通用”的刻蝕方式，可以在任何材料上形成圖形。它的弱點是刻蝕速度較低，選擇性比較差。傳導耦合性等離子體刻蝕的優(yōu)勢在于刻蝕速率高、良好的物理形貌和通過對反應(yīng)氣體的選擇，達到針對光刻膠和襯底的高選擇比。一般用于對特征形貌沒有要求的去膠(ashing，灰化)工藝。反應(yīng)離子刻蝕是上述兩種刻蝕方法相結(jié)合的產(chǎn)物，它是利用有化學反應(yīng)性氣體產(chǎn)生具有化學活性的基團和離子。經(jīng)過電場加速的高能離子轟擊被刻蝕材料，使表面受損，提高被刻蝕材料表面活性，加速與活性刻蝕反應(yīng)基團的反應(yīng)速度，從而獲得較高的刻蝕速度。這種化學和物理反應(yīng)的相互促進，使得反應(yīng)離子刻蝕具有上述兩種干法刻蝕所沒有的優(yōu)越性：良好的形貌控制能力(各向異性)、較高的選擇比、可以接受的刻蝕速率。因此在于法刻蝕工藝中反應(yīng)性離子刻蝕得到廣泛應(yīng)用。

想了解更多關(guān)于離子刻蝕的相關(guān)資訊，請持續(xù)關(guān)注本公司。

離子束刻蝕的入射角

在離子束刻蝕過程中，選擇合適的入射角可以提高刻蝕效率，這只是一個方面。另一個方面是靠合適的入射角度控制刻蝕圖形的輪廓。下圖給出了不同角度的刻蝕結(jié)果。

創(chuàng)世威納公司擁有先進的技術(shù)，我們都以質(zhì)量為本，信譽高，我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業(yè)務(wù)。如果您對離子束刻蝕機產(chǎn)品感興趣，歡迎點擊左右兩側(cè)的在線客服，或撥打咨詢電話。

離子束刻蝕

利用低能量平行Ar 離子束對基片表面進行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率較高，陡真性較好的方法，它可以對所有材料進行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體、超導體等。

想了解更多產(chǎn)品信息您可撥打圖片上的電話進行咨詢！