實(shí)驗(yàn)室超純水設(shè)備基本工藝流程和指標(biāo)

超純化后處理系統(tǒng)

EDI裝置

   連續(xù)電去離子EDI（Electrodeionization的縮寫(xiě)），是利用混床離子交換樹(shù)脂吸附給水中的陰陽(yáng)離子，同時(shí)這些被吸附的離子又在直流電壓的作用下分別透過(guò)陰陽(yáng)離子交換膜而被連續(xù)去除的過(guò)程。這一新技術(shù)可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的離子交換（DI），產(chǎn)出10MΩ.cm以上的超純水。EDI深度除鹽的zui大優(yōu)點(diǎn)是可長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行，無(wú)需用酸堿再生陰陽(yáng)樹(shù)脂，十分適合造水量100L/h以上的超純水中央制備系統(tǒng)，水質(zhì)穩(wěn)定，并將大大降低運(yùn)行成本，TOC也將更低更穩(wěn)定。預(yù)處理裝置雖然不是純水設(shè)備中的核心部件，但是也是不可缺少的一部分，如果純水設(shè)備中沒(méi)有安裝預(yù)處理裝置，很有可能因?yàn)檫M(jìn)水水質(zhì)不合格對(duì)整套設(shè)備造成損壞。EDI裝置通常的產(chǎn)水電阻率約15~18MΩ.cm。

超純化后處理系統(tǒng)

除熱原超濾膜

   超濾除熱原已廣泛用于現(xiàn)代制藥行業(yè)。超濾（Ultrafiltration，縮寫(xiě)“UF”）膜的孔徑介于反滲透和微濾之間（約0.01～0.1μm），通常用zui小截留分子量來(lái)表示。電子純水設(shè)備為什么會(huì)出現(xiàn)化學(xué)結(jié)垢問(wèn)題在電子純水設(shè)備的原水中含有大量的無(wú)機(jī)物離子，原水沒(méi)經(jīng)過(guò)處理之前，一般來(lái)說(shuō)，離子的濃度是不會(huì)達(dá)到飽和度的，也就不會(huì)發(fā)生生成水垢的問(wèn)題。永潔達(dá)除熱原超濾膜采用截留分子量為5000道爾頓的聚砜膜，可徹底去除水中熱原（其zui小分子量通常大于7000）及各類微生物。

正確維護(hù)保養(yǎng)純水處理設(shè)備的重要性解析

在晶體管、集成電路生產(chǎn)中，純水主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制，硅片氧化的水汽源，部分設(shè)備的冷卻水，配制電鍍液等。集成電路生產(chǎn)過(guò)程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片，水質(zhì)的好壞與集成電路的產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)成品率關(guān)系很大。2、第二種采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換設(shè)備，其特點(diǎn)為初投次比采用離子交換樹(shù)脂方式要高，但離子設(shè)備再生周期相對(duì)要長(zhǎng)，耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹(shù)脂的方式要少很多。水中的堿金屬(K、Na等)會(huì)使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會(huì)使PN結(jié)耐壓降低，Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會(huì)使N型半導(dǎo)體特性惡化，Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會(huì)使P型半導(dǎo)體特性惡化，水中細(xì)菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會(huì)使P型硅片上的局部區(qū)域變?yōu)镹型硅而導(dǎo)致器件性能變壞，水中的顆粒(包括細(xì)菌)如吸附在硅片表面，就會(huì)引起電路短路或特性變差。

1、工業(yè)純水設(shè)備外觀材質(zhì)選擇不同，其價(jià)格有很大差異。

2、工業(yè)純水設(shè)備常規(guī)元器件和膜元件的選擇。

3、你所需要設(shè)備的產(chǎn)水量是多少，一般按照單個(gè)小時(shí)的產(chǎn)量計(jì)算。

4、原水水質(zhì)情況怎么樣?原水水質(zhì)決定了設(shè)備的生產(chǎn)工藝。

5、工業(yè)純水設(shè)備產(chǎn)出水需要達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)，這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)和原水水質(zhì)決定設(shè)備的工藝，從而決定設(shè)備的價(jià)格。

工業(yè)純水設(shè)備價(jià)格受到很多因素的影響，因?yàn)橛脩粼谶x購(gòu)設(shè)備時(shí)不要急于知道設(shè)備的總價(jià)格，首先要提出自己的要求，然后綜合考慮生產(chǎn)商的實(shí)力和品質(zhì)，從而選擇一款性價(jià)比高的產(chǎn)品。