離子鍍，是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)離子化，在氣體離子或蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用下，把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應物蒸鍍在工件上。離子鍍把輝光放電、等離子技術與真空蒸鍍技術結合在一起，不僅明顯地提高了鍍層的各種性能，而且，大大擴充了鍍膜技術的應用范圍。

離子鍍除兼有真空濺射的優(yōu)點外，還具有膜層的附著力強、繞射性好、可鍍材料廣泛等優(yōu)點。例如，利用離子鍍技術可以在金屬、塑料、陶瓷、玻璃、紙張等非金屬材料上，涂覆具有不同性能的單一鍍層、合金鍍層、化合物鍍層及各種復合鍍層，而且沉積速度快（可達755m/min），鍍前清洗工序簡單，對環(huán)境無污染，因此，近年來在國內(nèi)外得到了迅速的發(fā)展。

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以下是制備的必要條件：

①  在沉積溫度下，反應物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當?shù)乃俣缺灰敕磻遥?

② 反應產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的；

③ 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。

CVD技術是作為涂層的手段而開發(fā)的，但不只應用于耐熱物質(zhì)的涂·層，而且應用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特征的技術領域，其工藝成本具體而定。

PCVD工藝具有廣泛的用途。

（1）超硬膜的應用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形復雜、面積大的工件上獲得超硬膜，沉積速率可達4～10μm/h，硬度大于2000HV，繞鍍性好，工件不需旋轉(zhuǎn)就可得到均勻的鍍層。大量應用于切削刀具、磨具和耐磨零件。

（2）半導體元件上盡緣膜的形成過往半導體元件上的盡緣膜大多用SiO2，現(xiàn)在用SiN4 H2用PCVD法來形成Si3N4，Si3N4的盡緣性、性、耐酸性、耐堿性，比SiO2強，從電性能及其摻雜效率來講都是的，特別是當前的高速元件GaAs盡緣膜的形成，高溫處理是不可能的，只能在低溫下用等離子法進行沉積。

PVD是一種出色的真空鍍膜工藝，可改善耐磨性和耐腐蝕性。它對于功能性應用非常需要，例如工具，裝飾件，光學增強，模具，模具和刀片。這些只是各種各樣已經(jīng)建立好的應用程序的幾個例子。

此技術中使用的設備維護成本低，并且對環(huán)境無害。PVD涂層的好處很多。如PVD可以提供真正獨特的優(yōu)勢，從而增加產(chǎn)品的耐用性和價值。沉積技術在機加工過程中具有重要作用。

機加工工具可能是緊急的應用之一，需要一些特性，例如高溫下的硬度，高耐磨性，化學穩(wěn)定性，韌性和剛度。此外，PVD還能夠生產(chǎn)具有優(yōu)異附著力，均勻?qū)?，設計結構，漸變特性，可控形態(tài)，材料和特性的高度多樣性的涂層。