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電池片的制作工藝
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:高價回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級,庫存,El,不良測試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,債務(wù)償還,返工,光伏模塊回收等。
影響因素
1. 印刷壓力的影響
在印刷過程中刮膠要對絲網(wǎng)保持一定的壓力,且這個力必須是適當(dāng)?shù)?。印刷壓力過大,易使網(wǎng)版、刮膠使用壽命降低,使絲網(wǎng)變形,導(dǎo)致印刷圖形失真。印刷壓力過小,易使?jié){料殘留在網(wǎng)孔中,造成虛印和粘網(wǎng)。在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)加大印刷壓力,透墨量會減小(漿料濕重減?。?,柵線高度下降,寬度上升。
2. 印刷速度的影響
印刷速度的設(shè)定必須兼顧產(chǎn)量和印刷質(zhì)量。對印刷質(zhì)量而言,印刷速度過快,漿料進入網(wǎng)孔的時間就短,對網(wǎng)孔的填充性變差,印刷出的柵線平整性受損,易產(chǎn)生葫蘆狀柵線。印刷速度上升,柵線線高上升,線寬下降。印刷速度變慢,下墨量增加,濕重上升。
3. 絲網(wǎng)間隙的影響
在其他條件一定的情況下,絲網(wǎng)間隙與濕重大致有如右圖的關(guān)系:兩者幾乎呈比例上升,之后絲網(wǎng)間隙加大,濕重降低,后突然變?yōu)榱?。絲網(wǎng)印刷時使用的是曲線的前半段(即呈比例上升段)。由此可知,絲網(wǎng)間隙加大,下墨量多,濕重增大。絲網(wǎng)間隙過大,易使印刷圖形失真;過小,容易粘網(wǎng)。 刮膠硬度的影響 刮膠材料一般為聚胺脂或氟化橡膠,硬度 60 -90A 。刮膠硬度越大,印刷的圖形越準(zhǔn)確,原圖的重現(xiàn)性越好。因此,正面柵線的印刷就需要選用硬度較高刮膠。刮膠硬度小,其他參數(shù)不變的情況下濕重就大,線高增加,線寬變大。
電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)
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電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)
印刷厚度:絲網(wǎng)和感光膜的厚度決定印刷后圖形的厚度即線條的厚度,如圖 10 所示,在一般情況下,絲網(wǎng)目數(shù)越低,絲經(jīng)越粗,印刷后的漿料層就越高,所用絲網(wǎng)目數(shù)較高時,印刷后漿料層就低一些。感光膜的厚度與絲網(wǎng)目數(shù)和線條的寬度有關(guān):目數(shù)越高,絲徑越細,感光膜與絲網(wǎng)的接觸面積越小,二者的附著力減小,
果印刷線條變窄,增加感光膜的厚度易造成脫落,所以感光膜較薄,感光膜的厚度約為絲網(wǎng)厚度的 15 %~ 25 %;對于背鋁和背銀工序,選取250 目絲網(wǎng),其厚度為 58um,感光膜厚度為 10 ~ 15um ,則印后厚度為 68 ~ 73μm ,這里計算出來的厚度時漿料的濕厚度( wetthickness ).需經(jīng)過烘干( dry )和燒結(jié)( fire )才是終厚度(干厚度),干厚度是濕厚度的 30% ~ 40% ;對于正銀工序,選取 330 目絲網(wǎng),其厚度為 44um ,感光膜厚度為 5 ~ 10μm ,則印后濕厚度約為 49 ~ 54μm 。
選擇絲網(wǎng)絲徑及目數(shù)時,要求網(wǎng)格的孔長為漿料粉體粒徑的 2.5 ~ 5 倍;目數(shù)越低絲網(wǎng)越稀疏,網(wǎng)孔越大,油墨通過性就越好;網(wǎng)孔越小,油墨通過性越差,如圖 9 所示。
網(wǎng)框 :網(wǎng)框大多采用硬鋁及鋁合金以承受繃網(wǎng)所產(chǎn)生的力,連接絲網(wǎng)的底面需要較高的平面度,約為 0.04mm × 150mm × 150mm ; 網(wǎng)框規(guī)格一般為承印物的 2 倍:以 150mm 電池片為例,承印物面積為
150mm × 150mm ,網(wǎng)框內(nèi)口的面積應(yīng)為300mm × 300mm 。
電池片生產(chǎn)工藝流程
振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長期購置:天價回收硅片,電池片,初中級光伏電池,銀漿布,單晶硅,光伏電池,太陽能電池板,太陽能組件,太陽能光伏板,顧客撤離,退級,庫存量,El,欠佳檢測,二手,舊工程項目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,聚酰薄膜,無界限結(jié)晶硅,光伏電池,單晶硅,試驗板,負債還款,返修,太陽能發(fā)電控制模塊收購等。
電池片生產(chǎn)流程
一
、
制絨
a.
目地
在硅單晶的表面產(chǎn)生坑凹狀表面,降低電池片的反射的自然光,提升二次反射的總面積。
一般狀況下,用堿解決是以便獲得金字塔狀磨砂皮;用酸處理是以便獲得蟲孔狀磨砂皮。無論是哪樣磨砂皮,都能夠提升硅單晶的陷光功效。
b.步驟
1.
基本標(biāo)準(zhǔn)下,硅與單純性的HF、HNO
3
(硅表面會被鈍化處理,二氧化硅與HNO
3
不反映)覺得不是反映的。但在二種混和酸的管理體系中,硅則能夠與水溶液開展不斷的反映
。
硅的氧化
氰化鈉/亞硝酸(HNO
2
)將硅氧化成二氧化硅(關(guān)鍵是亞硝酸將硅氧化)
Si 4HNO
3
=SiO
2
4NO
2
2H
2
O
(慢反映
3Si 4HNO
3
=3Si