3、技術指標 * 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；優(yōu)勢行業(yè)：電力設備、地鐵、鐵路動力車組和運用大功率半導體器件進行設計、制造的行業(yè)。 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

參數名稱 符號 參數名稱 符號

開通延遲時間 td(on) 關斷延遲時間 td(off)

上升時間 tr 下降時間 tf

開通時間 ton 關斷時間 toff

開通損耗 Eon 關斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測量的FRD動態(tài)參數

反向恢復電流 IRM 反向恢復電荷 Qrr

反向恢復時間 trr 反向恢復損耗 Erec

產品主要有電力半導體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設備，電氣自動化設備，電冶、電化學裝置，電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源、感應加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器、遠距離光電轉換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅動板等。5包裝、標志和運輸 賣方負責整套設備的包裝和運輸，并負擔由此產生的費用。