陰面蝕刻標牌怎么手工上漆

而市場上的感光抗蝕刻油墨，由于脫墨所需的火堿濃度和溫度都很高，即使先期把油漆搞上去了，在脫墨的環(huán)節(jié)中油漆往往也會跟著油墨一起脫下來，造成前功盡棄!！中間沒粘透明膠帶部分正好和不銹鋼板的大小吻合，這樣在涂耐腐蝕的感光油墨的時候，位置才會準確。所以新型油墨的使用，盡管依然不是我們所夢寐以求的具有顛覆性的方法，但是讓我們對于鏡面板的上漆方法又多了一種新的選擇！對于小批量、多品種的標牌生產(chǎn)其意義尤為重大。

FY6000型感光油墨使用流程和工藝參數(shù)如下：

噴涂或者200--300目絲網(wǎng)滿版刮印在金屬板上

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烘烤90--100攝氏度，時間8--15分鐘

紫外線曝光。燈距50-60公分。1000瓦燈管5--8分鐘，或者2000瓦燈管3---4分鐘

顯影。1%--2%的純堿（碳酸鈉）溶液，30攝氏度，1--2分鐘

蝕刻---噴漆---烤漆---除漆。漆膜非常容易脫離感光油墨層，而且除漆時不會傷及金屬板材

脫掉感光油墨。1000ml水僅需20克火堿和20克純堿配制成脫墨液。溶液溫度40攝氏度，時間3--4分鐘。由于脫墨液濃度小、溫度低所以不會影響油漆的附著力。

清水沖洗，干燥后，可以噴涂光油保護。后裁切包裝，整個生產(chǎn)流程完畢。

光刻和蝕刻技術(shù)，用光膠、掩膜、和紫外光進行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設計 圖案通過曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ? 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑（有正負之分）和光刻掩膜版的質(zhì)量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過能力。5g/l，陰極電流密度50～60a/dm2，溫度55～60℃。

去邊（Edge bead removal-EBR）--去膠邊的過程，通常在涂膠后將溶劑噴在硅片的背面或前 邊沿上。 前烘（Soft-bake）-- 在涂膠后用來去除膠溶劑的溫度步驟。 曝光-- 把涂膠后的硅片，暴露在某種形式的射線下，以在膠上產(chǎn)生隱約的圖像 的步驟。 PEB —曝光以后消除膠里的由襯底反射引起的膠里的駐波的溫度步驟。將酸液稀釋用吸量管吸取10ml酸液，放入100ml容量瓶中，然后加入純水至刻度處，蓋好玻璃塞，搖勻備用。 顯影（Development）-- 在曝光以后分解膠產(chǎn)生掩膜圖案的過程。 后烘 (Hard-bake)—用來去除殘留溶劑，增加膠的沾著力和耐腐能力，在顯影后完成，可以包 括 DUV 固膠。