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真空電鍍設(shè)備具有良好的真空性能。底涂層固化后放氣量少、熱應(yīng)力小、耐熱功能好。真空電鍍設(shè)備成膜功能好,真空電鍍設(shè)備涂層的致密度、掩蓋才能、抗溶劑才能與耐光照才能等功能良好。真空電鍍設(shè)備與面涂層有良好的相溶性。真空電鍍設(shè)備因為鍍膜層極薄有孔隙,要求底涂層和面涂層的溶劑和稀釋劑有良好的相溶性。真空電鍍設(shè)備施涂性能良好。真空電鍍設(shè)備流平性能良好,有恰當(dāng)?shù)酿ざ?、固化時間短。真空電鍍設(shè)備與鍍膜層要有良好的接觸性能;真空電鍍設(shè)備與底涂層要有必定的相溶性;真空電鍍設(shè)備成膜性能與施涂性能;真空電鍍設(shè)備具有恰當(dāng)?shù)臋C械強度;真空電鍍設(shè)備防潮、抗溶劑、耐真空電鍍設(shè)備腐蝕性能好??估匣阅軓姟?br />
真空電鍍生產(chǎn)廠家在真空中制備膜層,包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段,但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式,即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。蒸發(fā)鍍膜通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面,稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法早由M.法拉第于1857年提出,現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后,加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時間(或決定于裝料量),并與源和基片的距離有關(guān)。對于大面積鍍膜,常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.2電子伏。