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天津滋源環(huán)保科技有限公司是天津市濱海高新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)注冊(cè)的科技型企業(yè)。擁有一批從事污水處理行業(yè)多年的科技人才,獲得多項(xiàng)污水處理應(yīng)用領(lǐng)域的自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
ro純水設(shè)備也叫做反滲透純水設(shè)備、反滲透凈水設(shè)備、反滲透水設(shè)備、水處理反滲透設(shè)備、去離子水設(shè)備、反滲透純水機(jī)等。它們共同的特點(diǎn)反滲透半透膜上有眾多的孔,這些孔的大小與水分子的大小相當(dāng),由于細(xì)菌、病毒、大部分有機(jī)污染物和水合離子均比水分子大得多,因此不能透過(guò)反滲透半透膜而與透過(guò)反滲透膜的水相分離。在水中眾多種雜質(zhì)中,溶解性鹽類(lèi)是難清除的.因此,經(jīng)常根據(jù)除鹽率的高低來(lái)確定反滲透的凈水效果.反滲透除鹽率的高低主要決定于反滲透半透膜的選擇性。較高選擇性的反滲透膜元件除鹽率可以高達(dá)99.7%
超純水的出水水質(zhì):電阻率>15MΩ.cm
超純水水質(zhì)分為五個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm,以區(qū)分不同水質(zhì)。
純水分為:工業(yè)純水和飲用純水工業(yè)純水:在25攝氏度中,1。普通純水:EC=1~10us/cm;2。高純水:EC=0.1~1.0us/cm;3。超純水:EC=0.1~0.055;飲用純水:EC=1~10 us/cm(國(guó)家標(biāo)準(zhǔn))。
純水設(shè)備的用途:
1、電廠化學(xué)水處理
2、電子、半導(dǎo)體、精密機(jī)械行業(yè)超純水
3、食品、飲料、飲用水的制備
4、小型純水站,團(tuán)體飲用純水
5、精細(xì)化工、精尖學(xué)科用水
6、其他行業(yè)所需的高純水制備
7、制藥工業(yè)工藝用水
8、海水、苦咸水的淡化
電沉積原理
電沉積是指在水溶液、非水溶液或熔融鹽體系中,將電流引入電極時(shí)陽(yáng)極發(fā)生氧化反應(yīng)和陰極發(fā)生還原反應(yīng)的過(guò)程。其基本原理見(jiàn)圖1即體系中重金屬離子在陰極處被還原成單質(zhì)形態(tài),并且由于化學(xué)反應(yīng)堆積在陰極表面上[23]從而達(dá)到去除和回收的目的其主要反應(yīng)是重金屬離子在陰極的還原,其反應(yīng)。
陰極上除了發(fā)生金屬離子的還原反應(yīng),還同時(shí)發(fā)生其他副反應(yīng)。這些副反應(yīng)會(huì)影響電沉積的電流效率,降低廢水處置效果。Mook等研究證實(shí)了電解池內(nèi)兩極均可能發(fā)生多種副反應(yīng),這些反應(yīng)的發(fā)生會(huì)消耗電荷,降低陰極金屬的析出效率。
副反應(yīng)不只通過(guò)消耗電荷對(duì)電堆積反應(yīng)發(fā)生影響,其產(chǎn)生的副產(chǎn)物也會(huì)對(duì)電堆積效率及平安性構(gòu)成威脅。陳熙等認(rèn)為陽(yáng)極的氧化反應(yīng)會(huì)產(chǎn)生氧氣。溶液中氧氣含量升高會(huì)腐蝕陰極表面沉積的重金屬單質(zhì),造成重金屬單質(zhì)返溶的現(xiàn)象,影響重金屬的處置效率。
天津滋源環(huán)保科技有限公司是天津市濱海高新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)注冊(cè)的科技型企業(yè)。擁有一批從事污水處理行業(yè)多年的科技人才,獲得多項(xiàng)污水處理應(yīng)用領(lǐng)域的自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)。不依靠性原理的基礎(chǔ)上,一種模擬電沉積過(guò)程的可行方法就是利用金屬之間的相互勢(shì),運(yùn)用分子動(dòng)力學(xué)方法進(jìn)行模擬。但分子動(dòng)力學(xué)方法在模擬過(guò)程中明確考慮了熱波動(dòng)的影響,這對(duì)計(jì)算提出了更高的要求,需要的計(jì)算時(shí)間也更長(zhǎng),即使運(yùn)行數(shù)天,模擬結(jié)果也只能解析納秒級(jí)別的過(guò)程。對(duì)于電堆積這種時(shí)間尺度較長(zhǎng)的過(guò)程,效果并不理想。蒙特卡羅動(dòng)力學(xué)方法在一定水平上克服了分子動(dòng)力學(xué)方法的弊端,可以在較長(zhǎng)的時(shí)間尺度上進(jìn)行模擬且計(jì)算量更低[31]嵌入原子法能夠準(zhǔn)確地表征金屬與金屬之間的相互作用[32]金屬體系中得到廣泛的應(yīng)用。金屬的自擴(kuò)散[33]和外延生長(zhǎng)[34]等方面的應(yīng)用給電堆積過(guò)程模擬提供了可靠的依據(jù)。