PVD真空鍍膜設(shè)備蒸發(fā)系統(tǒng)工作方式

PVD真空鍍膜設(shè)備蒸發(fā)系統(tǒng)主要指成膜裝置部分，PVD鍍膜機(jī)的成膜裝置很多的，PVD鍍膜有電阻加熱、射頻濺射、離子鍍等多種方式。PVD鍍膜電阻蒸發(fā)根據(jù)其結(jié)構(gòu)和工作原理是目前為止應(yīng)用多的，PVD鍍膜廣泛的蒸發(fā)方式，PVD鍍膜也是應(yīng)用時(shí)間長的蒸發(fā)方式。

下面介紹PVD鍍膜電阻加熱和電子槍蒸發(fā)的方式：

PVD鍍膜將鎢片做成船狀，然后安裝在兩個(gè)電極中間，再熱傳導(dǎo)給PVD鍍膜材料，當(dāng)鎢舟的熱量高于PVD鍍膜材料熔點(diǎn)的時(shí)候，材料就升華或者蒸發(fā)了，PVD鍍膜由于操作方便，結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉。PVD鍍膜電子槍蒸發(fā)是到目前為止應(yīng)用多的一種蒸發(fā)方式，PVD鍍膜可以蒸發(fā)任何一種PVD鍍膜料。

將鍍膜材料放在坩堝里面，PVD鍍膜將蒸發(fā)源制作成燈絲形狀，PVD鍍膜由于燈絲的材料是鎢，形成了一股電子束，PVD鍍膜由于電子束溫度非常高，PVD鍍膜可以熔化任何鍍膜藥材凝結(jié)下來。

至成真空十多年來專業(yè)從事各種真空鍍膜應(yīng)用設(shè)備制造，多年來致力于研發(fā)和生產(chǎn)真空鍍膜機(jī)，以新技術(shù)不斷制造出滿足市場需要的真空電鍍設(shè)備，為客戶提供定制化的工藝解決方案和機(jī)器。

卷繞真空鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)該注意的幾個(gè)問題

真空鍍膜機(jī)使用的行業(yè)不一樣，它的機(jī)型是不一樣的，那么它的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也是有很大的差別。在設(shè)計(jì)真空鍍膜機(jī)的時(shí)，我們都是要考慮到很多因素，比如：要鍍的物件大小，使用的材質(zhì)，以及它的熱點(diǎn)，和其他的一些細(xì)節(jié)注意事項(xiàng)等，都會(huì)影響真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，那么卷繞真空鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)該注意那幾個(gè)問題呢？下面至成真空小編，為大家詳細(xì)介紹一下：

1、提高卷繞速度的問題。卷繞速度即是帶狀基材運(yùn)動(dòng)的線速度，它是卷繞機(jī)構(gòu)的一個(gè)主要技術(shù)指櫟。國內(nèi)早期鍍膜機(jī)卷繞速度只有10m/min，現(xiàn)在也只有80m/min～120m/min，在國外日本的EW系列產(chǎn)品中，其卷繞速度已達(dá)到300m/min，德國L．H公司生產(chǎn)的鍍膜機(jī)已達(dá)到600m/min，可見隨著鍍膜技術(shù)的發(fā)展，卷繞速度有待提高。

2、帶狀基材的線速恒定問題。這一問題也很重要，因?yàn)橹挥芯砝@機(jī)構(gòu)保證帶狀基材的線速恒定，才能使基材上鍍層厚度均勻。這一點(diǎn)對制備帶狀基材的功能性膜（如電容器膜）尤為重要。

3、帶狀基材的跑偏和起褶問題。隨著卷繞速度的提高，帶狀基材在卷繞鍍膜過程中，起褶和發(fā)生偏斜，嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成基材的斷裂，使生產(chǎn)中斷，既影響生產(chǎn)效率，又浪費(fèi)材料。因此，在卷繞機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)中應(yīng)充分考慮這一問題。

卷繞鍍膜機(jī)真空抽氣系統(tǒng)分上室下室兩組，下室為蒸鍍室，要求真空度高，主泵多為油擴(kuò)散泵。上室為基材卷繞室，要求真空度較低，為羅茨泵機(jī)組或擴(kuò)散泵一羅茨泵一機(jī)械泵組。一般蒸鍍室要達(dá)到的真空度為1x10^-3Pa—2×10^-3Pa，而工作壓力為1×10^-2Pa—2×10^-2Pa，而卷繞室真空度通常較蒸鍍室低一個(gè)數(shù)量級。有時(shí)卷繞鍍膜機(jī)以增擴(kuò)泵（油擴(kuò)散泵的一種）為主泵，它的極限壓力雖然不及油擴(kuò)散泵，但其抽速范圍向高壓方向延伸一個(gè)數(shù)量級，非常適宜此類蒸發(fā)的鍍膜過程。

新型磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍膜工藝

磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍膜工藝在鍍膜行業(yè)無處不在，只要說到鍍膜技術(shù)，大家都會(huì)立刻想到磁控鍍膜工藝，磁控濺射真空鍍膜機(jī)也受到了各大廠家的追捧，磁控濺射鍍膜工藝更是受到大家的喜愛，今天至成小編為大家介紹一下磁控濺射鍍膜機(jī)鍍膜工藝。

其實(shí)從一般的金屬靶材濺射、反應(yīng)濺射、偏壓濺射等,伴隨著工業(yè)需求及新型磁控濺射技術(shù)的出現(xiàn),低壓濺射、高速沉積、自支撐濺射沉積、多重表面工程以及脈沖濺射等新型工藝成為目前該領(lǐng)域的發(fā)展趨勢。低壓濺射的關(guān)鍵問題是在低壓(一般是指<011Pa)下,電子與氣體原子的碰撞幾率降低,在常規(guī)磁控濺射技術(shù)中不足以維持靶材表面的輝光放電,導(dǎo)致濺射沉積無法繼續(xù)進(jìn)行。通過優(yōu)化磁場設(shè)計(jì),使得電子空間運(yùn)動(dòng)距離延長,非平衡磁控濺射技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)在10-2Pa等級的真空下進(jìn)行濺射沉積。另外,通過外加電磁場約束電子運(yùn)動(dòng)可以實(shí)現(xiàn)更低壓強(qiáng)下的濺射沉積。進(jìn)行高速沉積可以極大的提高工作效率、減少工作氣體消耗以及獲得新型膜層。實(shí)現(xiàn)高速沉積主要需要解決的問題是在提高靶材電流密度的同時(shí),不會(huì)產(chǎn)生弧光放電;由于功率密度的提高,靶材、襯底的冷卻能力需要相應(yīng)提高等。目前,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了靶材功率密度超過100W/cm2,沉積速率超過1μm/min。

真空PVD鍍膜涂層工藝?yán)鋮s如何進(jìn)行？

1.高閥關(guān)閉，真空計(jì)關(guān)閉，真空室與泵組隔離；

2.當(dāng)操作人員按下N2vent按鈕，預(yù)先接好的氮?dú)鈺?huì)通過N2充氣閥充入真空室，當(dāng)真空室內(nèi)的壓力達(dá)到壓力開關(guān)預(yù)設(shè)的壓力時(shí)，N2充氣閥關(guān)閉。

3.真空室內(nèi)充入了大量N2，真空度很低，更加有利于熱傳導(dǎo)，所以降溫速度比不充冷卻N2時(shí)快很多，縮短冷卻時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，實(shí)際冷卻時(shí)間可由原來的90分鐘縮短為60分鐘。

4.由于氦氣的熱傳導(dǎo)率更高，所以充入冷卻氦氣比氮?dú)饨禍厮俣雀?，但是成本也更高?

5.國外設(shè)備快速冷卻程序，通過冷卻氣體的循環(huán)冷卻，能縮短冷卻時(shí)間50%。

為什么要進(jìn)行壓升率測試？

真空環(huán)境條件是影響終涂層質(zhì)量重要的因素。鍍膜前，必須進(jìn)行壓升率測試，以保證真空環(huán)境條件滿足鍍膜標(biāo)準(zhǔn)。

怎樣進(jìn)行壓升率測試？

在我們的自動(dòng)鍍膜工藝中，壓升率測試是自動(dòng)進(jìn)行。當(dāng)真空室內(nèi)真空度達(dá)到工藝設(shè)定的本底真空后，進(jìn)入壓升率測試步驟。

系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)關(guān)閉高閥，此時(shí)真空室與泵組隔離，真空室內(nèi)壓力會(huì)升高。在一定時(shí)間內(nèi)（一般1分鐘），如果壓力不超過設(shè)定的報(bào)警值，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)進(jìn)行下一步程序，進(jìn)入鍍膜步驟。如果壓力超過設(shè)定的報(bào)警值，系統(tǒng)會(huì)有報(bào)警提示，此時(shí)，操作人員應(yīng)按照操作流程，再次進(jìn)行抽真空和加熱烘烤，然后重復(fù)進(jìn)行壓升率測試，直至壓升率滿足鍍膜條件。