同方迪一高壓瓷介電容介紹

我們大部分電容器都是金屬化電容，比如CBB22就是金屬化聚丙稀薄膜電容, CL21屬于金屬化聚酯薄膜電容器，但瓷片電容很特殊，它是以陶瓷材料為介質(zhì)的電容器，在陶瓷基體兩面涂銀層，然后經(jīng)低溫?zé)摄y質(zhì)薄膜作極板而制成，這種電容器*大的特點(diǎn)就是耐壓高，普通的1KV、 2KV很常見，高-些的6KV、10KV也能做到。其容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性，而且特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長期工作可靠性。所以在高溫、高壓環(huán)境下，瓷片電容都可以正常穩(wěn)定工作。

同方迪一介紹識別高頻瓷片電容規(guī)格的詳細(xì)方法

1000V-6000V高頻瓷片電容

高頻瓷片電容一般主要都是運(yùn)用于較高穩(wěn)定振蕩的回路中，因此其在穩(wěn)定性方面要求是比較高的，如比較常見的耦合電容以及高壓旁路就會(huì)選擇用高頻瓷片電容。非常主要的優(yōu)點(diǎn)就是可以耐受高溫以及耐磨性比較強(qiáng)，如日常生活中常見的電視上的接收機(jī)上就會(huì)使用高壓瓷片電容。

快速識別方法

一般來說在音頻控制器以及分頻器上使用的電容都是高頻瓷片電容，因?yàn)槠淙萘繒?huì)比較大，通過金屬塑料薄膜的使用可以獲得更佳的音質(zhì)。其次就是在濾波電容中，其容量的特性決定了使用電解電容的效果會(huì)比較好，但在使用的過程中還要注意抑制高頻阻抗不斷上升的情況。

同方迪一講述瓷片電容技術(shù)參數(shù)的發(fā)展歷程

1900年意大利L.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容 ；

30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)成倍增長，因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容 ；

1940年前后人們發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)在的瓷片電容技術(shù)參數(shù) 的主要原材料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性后，開始將瓷片電容技術(shù)參數(shù)使用于對既小型、精度要求又極高的軍事用電子設(shè)備當(dāng)中。

1960年左右陶瓷疊片電容 作為商品開始開發(fā)。

1970年，隨著混合IC、計(jì)算機(jī)、以及便攜電子設(shè)備的進(jìn)步也隨之迅速的發(fā)展起來，瓷片電容成為電子設(shè)備中不可缺少的零部件，而其中技術(shù)參數(shù)也是學(xué)者們研究的重點(diǎn)。

現(xiàn)在的陶瓷介質(zhì)電容的全部數(shù)量約占電容 市場的70%左右。

同方迪一淺談瓷片電容的常規(guī)特性

瓷片電容是一種用陶瓷作為介質(zhì)的電容器，它和其它的金屬電容相比具有高度的穩(wěn)定性，特別是在震蕩回路中這種穩(wěn)定性甚為明顯。瓷片電容分兩種，一種具有高頻瓷介，一種就是低頻瓷介的。高頻瓷介的電容器一般是用于工作頻率較高的狀態(tài)，低頻瓷介則相反應(yīng)用于頻率較低的環(huán)境，用作對穩(wěn)定性不高的場合。

一般我們可以把瓷片電容分為2個(gè)等級，每個(gè)等級都有著自己的特性和作用，通常NP0，COG，SL0是1個(gè)等級的，X7R，X5R，Y5U，Y5V是另一個(gè)等級的， 前者等級的容量穩(wěn)定性很好，基本不隨溫度，電壓，時(shí)間等變化而變化，但是一般容量都很小。而后者等級的瓷介電容容量穩(wěn)定性很差，隨著溫度，電壓，時(shí)間變化幅度較大，所以一般用在對容量穩(wěn)定性要求不高的場合。

瓷片電容通常不使用在于脈沖電路中，因?yàn)檫@種電容比較容易被脈沖電壓擠壞，雖然比較容易被脈沖電壓擠壞，但是他的穩(wěn)定性相對其它電容來說還是高的，并且瓷片電容還具有很強(qiáng)的耐高溫性質(zhì)和絕緣性質(zhì)。瓷片電容優(yōu)點(diǎn)很多，但是缺點(diǎn)還是有的，那就是容量不能做的很大，這在當(dāng)下大家都追求高容量的情況下是一個(gè)很大的缺點(diǎn)，但是已經(jīng)有很多改進(jìn)的方法來讓陶瓷電容也能做到比較大的容量同時(shí)體積比較小。