Parylene N是一種很好的介電材料，具有特別很是低的介質(zhì)損耗、高絕緣強(qiáng)度以及不隨頻率轉(zhuǎn)變的介電常數(shù)。它是所有Paryleng中穿透能力的一種。

Parylene C是系列中第二個(gè)具有商業(yè)價(jià)值的成員。它由雷同的單體系方式成，只是將其中一個(gè)芳香烴氫原子用一個(gè)氯原子所庖代了。Paryleng C將的電性能，物理性能結(jié)合在一路，并且對(duì)于潮濕和其它腐蝕性氣體具有低滲透性。除了可以提供真正的無(wú)覆形隔離外，Paryleng C是涂敷緊張電路板的材料。

在真空中，ParyleneN,和C和D薄膜體現(xiàn)出很高的抵抗伽瑪射線衰變的能力。張力和電氣性能在1.6Mr/h的劑量率下加到100Mr之后依舊保持不變。雖然Parylene在室內(nèi)穩(wěn)固，但建議不要在室外陽(yáng)光直接照射的環(huán)境下長(zhǎng)期使用。

Parylene（聚對(duì),派瑞林）N,和C和HT吻合ISO-10993生物試驗(yàn)要求。試驗(yàn)包括細(xì)胞毒性、致敏作用、皮內(nèi)刺激性、急性系統(tǒng)性毒性、植入(對(duì)于C必要1、12和26周；對(duì)于N和Parylene HT必要1和12周)和血溶性試驗(yàn)。在試管組織培養(yǎng)研究中注解，人類細(xì)胞類型容易在Parylene C涂敷外觀。Parylene N和C已被證實(shí)吻合USP Class VI(UDP第六類塑料的生物試驗(yàn)要求)。

Parylene在磁芯上的應(yīng)用 　　　　

Parylene真空涂敷技術(shù)有優(yōu)異的電性能，介電性能和低的介質(zhì)損耗及高的介電強(qiáng)度。同時(shí)它還具有優(yōu)良的機(jī)械性能，高的機(jī)械強(qiáng)度和低的摩擦系數(shù)，它不僅能提供絕緣而且也能消除摩擦引起的繞線時(shí)對(duì)線的損傷。

Parylene涂層較薄且厚度均勻使繞線器件能保持大的繞線窗，并在棱角處有足夠的涂層厚度，使性能參數(shù)極大的提高。明顯優(yōu)于刷涂,浸涂,噴涂等其它涂敷技術(shù)。它的先進(jìn)性主要是氣相單體直接形成固體涂層而沒(méi)有液態(tài)的過(guò)程。涂層是從基材的表面向外?生長(zhǎng)?，形成一個(gè)均勻厚度涂層，在1微米以下時(shí)也是無(wú)的。又由于Parylene涂層是在室溫下形成的，因此可以防止固化時(shí)由熱膨脹引起的應(yīng)力問(wèn)題。

Parylene粉材的生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)品質(zhì)量、技術(shù)能力都居于國(guó)內(nèi)水平，著派瑞林粉材行業(yè)的發(fā)展，是國(guó)內(nèi)最大的生產(chǎn)基地。經(jīng)過(guò)近多年的研發(fā)、生產(chǎn)與不斷改進(jìn)，成功生產(chǎn)出高純的PARYLENE N粉、不同規(guī)格要求的PARYLENE C粉、PARYLENE D粉、PARYLENE F粉，并PARYLENE 系列新品開(kāi)發(fā)上形成了一整套完善的理論模式和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品質(zhì)量與國(guó)際完全相同，價(jià)格卻遠(yuǎn)低于國(guó)際同等水平，為國(guó)內(nèi)PARYLENE涂敷企業(yè)降低成本、增加市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力起到了有效的推動(dòng)作用。