小型自動磁控濺射儀

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1. 濺射室極限真空度：≤6.6×10-6 Pa

2. 系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0×10-7Pa.l/S

3. 系統(tǒng)從大氣開始抽氣：濺射室30分鐘可達到6.6×10-4 Pa；

4. 系統(tǒng)停泵關機12小時后真空度：≤5Pa

5. 濺射真空室1套，立式上開蓋結(jié)構(gòu)，尺寸不小于Ф300mm×300mm，全不銹鋼結(jié)構(gòu)，弧焊接，表面進行電化學拋光，內(nèi)含防污內(nèi)襯，可內(nèi)烘烤到100～150℃，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封，腔體內(nèi)有照明系統(tǒng)

6. 磁控濺射系統(tǒng) 3套， 提供3塊測試靶材。鍍膜不均勻度≤5%

7. 旋轉(zhuǎn)基片臺 1套，樣品臺可放置不小于100mm樣品1片，具有連續(xù)旋轉(zhuǎn)功能，旋轉(zhuǎn)0—30轉(zhuǎn)/分連續(xù)可調(diào)。基片加熱溫度：室溫—500°C連續(xù)可調(diào)，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，加熱電源配備控溫表，控溫方式為PID自動控溫及數(shù)字顯示

8. 觀察窗口及法蘭接口部件 1套

9. 工作氣路1套，包含：100SCCM、20SCCM質(zhì)量流量控制器、CF16截止閥、管路、接頭等共2路； DN16充氣閥、管路、接頭等2路；

10. 抽氣機組及閥門、管道 1套，包含1臺進口復合分子泵及變頻控制電源（680L/s ，德國普發(fā)Hipace700分子泵）；1臺機械泵（4L/S） ，1臺DN40氣動截止閥，機械泵與真空室之間的旁抽管路1套，CC150氣動閘板閥1臺（用于復合分子泵與真空室隔離），節(jié)流閥1臺，DN40旁抽氣閥1臺，壓差式充氣閥1臺；當金屬靶材撞向零件時由于能量轉(zhuǎn)化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。管道采用不銹鋼三通及波紋管，

11. 安裝機臺架組件 1套，由方鋼型材焊接成，快卸圍板表面噴塑處理，機臺表面用不銹鋼蒙皮裝飾，四只腳輪，可固定，可移動。

雙靶磁控濺射鍍膜機的特點有哪些？

沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品，以下信息由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供。

產(chǎn)品特點

1：此款鍍膜儀配置有兩個靶槍：一個靶槍配套的是射頻電源，用于非導電靶材的濺射鍍膜；一個靶槍配套的是直流電源，用于導電材料的濺射鍍膜

2：該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜，應用非常廣泛。

3：該鍍膜儀體積較小，且配備有觸摸屏控制面板，操作方便。

磁控濺射介紹

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由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。

濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產(chǎn)生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產(chǎn)生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜質(zhì)量。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費，又會在制備多層膜時造成各層的污染。本產(chǎn)品可廣泛應用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產(chǎn)業(yè)領域。