IGBT的驅(qū)動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。LED，發(fā)光二極管（lightemittingdiode縮寫）。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。大家很明白，有哪個用戶會在意顯示屏的驅(qū)動占空比，他們在乎的是顯示屏的效果，而不是我們的技術(shù)實現(xiàn)。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

大尺寸驅(qū)動Ic

市調(diào)機構(gòu)保守看待驅(qū)動IC后市，相關(guān)企業(yè)看法則顯得相對分歧。聯(lián)詠、敦泰、奇景等認同大尺寸驅(qū)動IC市場需求轉(zhuǎn)趨疲弱，對中小尺寸應(yīng)用，因各家布局產(chǎn)品與拓展商機進度不一，看法同樣不同調(diào)。

針對大尺寸驅(qū)動IC，聯(lián)詠總經(jīng)理王守仁日前指出，TV SoC受客戶提前備貨、第3季預期將處于消化庫存階段，預期業(yè)績微幅弱后。雖然功率不大的單個用電器功率因素低一點對電網(wǎng)的影響不大,但晚上大家點燈,同類負載太集中,會對電網(wǎng)產(chǎn)生較嚴重的污染。奇景則預估下半年大尺寸面板驅(qū)動IC營收逐季減少，毛利率也將因COF價格居高不下，較過去弱后，產(chǎn)品業(yè)績要待現(xiàn)有客戶導入的新案以及2020年8K電視發(fā)酵，才有望在明年1季恢復成長。

電力MOSFET一般由PWM或其他方式的控制器IC內(nèi)部驅(qū)動源驅(qū)動，為提高關(guān)斷速度，實現(xiàn)快速關(guān)斷以降低關(guān)斷損耗以提高系統(tǒng)效率，在許多ACDC電源、手機充電器及適配器的驅(qū)動電路設(shè)計中，通常采用圖1所示的驅(qū)動電路，采用適當?shù)拈_關(guān)開關(guān)電阻和柵極下拉PNP管。模擬電路有一段時間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計工程師的，因為模擬電路設(shè)計重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導（transconductance）或是電流的驅(qū)動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。有些大功率ACDC電源有時為了提高驅(qū)動能力，在外部采用了兩根管子組成的圖騰柱。