高純水設(shè)備運行維護

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EDI高純水設(shè)備的良好的長期運行不僅依賴于系統(tǒng)的初期設(shè)計，而且取決于正確的運行和維護。這包含系統(tǒng)的初期啟動和運行過程中的啟動/停機。為了保持系統(tǒng)的長期良好運行，需要對系統(tǒng)運行數(shù)據(jù)進行定期記錄，以便日后日常運行維護。而且日常運行維護數(shù)據(jù)對于在設(shè)備故障判斷和決定采取何種措施方面有重要意義。

測試EDI高純水設(shè)備進水水質(zhì)的下列指標：

　　進水水源：二級反滲透產(chǎn)水

　　進水當量電導(dǎo)率(包括CO2與Si)：<40μS/cm

　　硅：<1.0ppm以SiO2計

　　鐵，錳，硫：<0.01ppm

　　氯/氯化物：<0.02ppm以Cl2計

　　硬度：<1.0ppm以CaCO3計

　　溶解的有機物：<0.5ppm TOC中的C計

　　PH值：4-11

　　較大進水壓力bar：(1-45℃)

　　標準流量下壓差：1.4-2.1bar

　　標準回收率：90-95%

　　較高進水溫度：45℃

　　較低進水溫度：5℃

　　直流電壓(V)：0-600

　　直流電流(A)：0-6

　　運行啟動：

　　一旦EDI高純水設(shè)備系統(tǒng)已經(jīng)啟動，每次的停機和重啟動都意味著壓力和流量的變化，以及對EDI模塊的機械性沖擊。因此，系統(tǒng)的停機和重啟動的次數(shù)應(yīng)當盡可能的少，以保證EDI系統(tǒng)的平穩(wěn)運行。在系統(tǒng)啟動之前和過程中的檢查應(yīng)當作為一種日常工作進行，并且做好工作記錄。

高純水設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域　

化工材料的生產(chǎn)和加工過程所用的溶劑及清洗過程用純水

　　超純材料和超純化學(xué)試劑純水

　　實驗室和中試車間用純水

　　電子半導(dǎo)體、集成電路板上用到的化工材

　　石英、硅材料生產(chǎn)、加工、提純等所使用的純水

　　高純墨水、傳真打印機中的噴墨、納米墨水純水

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高純水設(shè)備簡介

高純水設(shè)備是應(yīng)用在反滲透系統(tǒng)之后，取代傳統(tǒng)的混合離子交換技術(shù)生產(chǎn)穩(wěn)定的去離子水。EDI技術(shù)與混合離子交換技術(shù)相比有如下優(yōu)點:

①水質(zhì)穩(wěn)定

②容易實現(xiàn)全自動控制

③不會因再生而停機

④不需化學(xué)再生

⑤運行費用低

⑥廠房面積小

⑦無污水排放。

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