對(duì)于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動(dòng)能約為0.1～0.2電子伏。

蒸發(fā)源有三種類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質(zhì)電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。電場(chǎng)對(duì)離化的蒸氣分子的加速作用（離子能量約幾百～幾千電子伏）和亞離子對(duì)基片的濺射清洗作用，使膜層附著強(qiáng)度大大提高。②高頻感應(yīng)加熱源：用高頻感應(yīng)電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質(zhì)。③電子束加熱源：適用于蒸發(fā)溫度較高的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。

進(jìn)行產(chǎn)品加工時(shí)。操作員要保持正確的姿態(tài)，要有充足的精力敷衍作業(yè)，如發(fā)現(xiàn)身體不適，為了人身安全，有必要馬上脫離作業(yè)崗位，并向車間主管或更高層次的領(lǐng)導(dǎo)反映?；患訜岬揭欢囟龋练e在基片上的分子可以徙動(dòng)，按基片晶格次序生長(zhǎng)結(jié)晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計(jì)量比的高純化合物單晶膜，薄膜較慢生長(zhǎng)速度可控制在1單層／秒。操作時(shí)有必要思想會(huì)集，制止閑談，相互配合，操作者切勿在煩躁、疲倦的狀態(tài)下操作，為了人身安全，防止發(fā)作事端，確保操作安全。所有職工在進(jìn)入作業(yè)崗位前，查看自己服飾是否符合作業(yè)要求。禁絕穿拖鞋、高跟鞋及影響安全的服裝，留長(zhǎng)頭發(fā)的要戴安全帽。

使用正確的刀尖半徑：更大的刀尖半徑將能夠適應(yīng)更快的速度。插入件能夠以每轉(zhuǎn)約TNR的一半進(jìn)給，并且仍然產(chǎn)生良好的結(jié)果。如果超過此TNR與IPR比率，該工具將創(chuàng)造更多“線狀”表面光潔度，而不是您想要的光澤光滑表面。如果超過此TNR與IPR比率，該工具將創(chuàng)造更多“線狀”表面光潔度，而不是您想要的光澤光滑表面。因此，TNR越大，它可以容納的進(jìn)給速度越快，并且仍然產(chǎn)生期望的結(jié)果。然而，使用非常大的TNR可以產(chǎn)生顫振- 減少切割壓力- 所以要小心并考慮切割材料所需的速度- 使用符合您需求的TNR工具。