例1－11單相半波整流電路，如門極不加觸發(fā)脈沖；晶閘管內(nèi)部短路；晶閘管內(nèi)部斷開，試分析上述3種情況下晶閘管兩端電壓和負(fù)載兩端電壓波形。

解：（1）晶閘管門極不加觸發(fā)脈沖，即晶閘管呈阻斷狀態(tài)，可視作開路，所以輸出電壓和晶閘管兩端電壓波形如圖1－7（a）所示。

（2）晶閘管內(nèi)部短路，顯然晶閘管兩端電壓為零，此時(shí)輸出電壓和晶閘管兩端電壓波形如圖1－7（b）所示。

（3）晶閘管內(nèi)部開路，輸出電壓和晶閘管兩端電壓波形如圖1－7（c）所示。

圖1－7 例1－11波形圖

其電路圖形的轉(zhuǎn)移采用上述任何原材料都無法達(dá)到其技術(shù)指標(biāo)。因此研制與開發(fā)更新型的光致抗蝕劑-陽極法電沉積光致抗蝕劑（ED法）其基本原理是將水溶性的有機(jī)酸化合物等溶于槽液內(nèi)，形成帶有正、負(fù)荷的有機(jī)樹脂團(tuán)，而把基板銅箔作為一個(gè)極性（類似電鍍一樣）進(jìn)行“電鍍”即電泳，在銅的表面形成5-30μm光致抗蝕膜層，是可控制的。其分辨率可達(dá)到0.05-0.03mm。這種電路圖形轉(zhuǎn)移材料是很有發(fā)展前途的工藝方法。當(dāng)然任何新型有圖形轉(zhuǎn)移材料都有它的局限性，隨著高科技的發(fā)展還會(huì)研制與開發(fā)更適合更佳的原材料。為了提高電阻絲的使用率，我們?cè)谏a(chǎn)實(shí)踐過程中，經(jīng)過較長(zhǎng)時(shí)間的分析和研究，找出了電阻絲燒斷的原因，并采取措施加以解決，取得了良好效果。