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單光子探測(cè)技術(shù)行業(yè)專(zhuān)家在線(xiàn)為您服務(wù)

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發(fā)布時(shí)間:2020-07-22 09:45  






單光子探測(cè)器應(yīng)用——光子源特性測(cè)試

單光子探測(cè)器(SPD)是一種超低噪聲器件,增強(qiáng)的靈敏度使其能夠探測(cè)到光的能量量子——光子。光子源特性測(cè)試:隨著量子物理技術(shù),非線(xiàn)性技術(shù)和量子點(diǎn)技術(shù)的進(jìn)步和發(fā)展,單光子源和光子糾纏源的開(kāi)發(fā)需求日益增多,再這些設(shè)備的開(kāi)發(fā)過(guò)程中,需要高靈敏度的檢測(cè)手段來(lái)對(duì)其進(jìn)行特性分析和測(cè)試,單光子計(jì)數(shù)器就是一種有效的手段。利用內(nèi)光電效應(yīng)制成的光子型探測(cè)器,是用半導(dǎo)體材料制成的固態(tài)電子器件,主要包括光電導(dǎo)探測(cè)器和光伏型探測(cè)器等。

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單光子計(jì)數(shù)系統(tǒng)的基本原理

單光子計(jì)數(shù)系統(tǒng)在許多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用,化學(xué)發(fā)光反應(yīng)分析試劑與樣本反應(yīng)所發(fā)出的微弱光經(jīng)過(guò)單光子計(jì)數(shù)系統(tǒng)中的光電倍增管進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,再經(jīng)放大電路、甄別電路和計(jì)數(shù)電路,可進(jìn)行單光子的計(jì)數(shù)。根據(jù)化學(xué)發(fā)光分析反應(yīng)所發(fā)出的光子數(shù)與待測(cè)樣本濃度之間所存在的線(xiàn)性關(guān)系,可以分析出人體健康的指數(shù)。超導(dǎo)納米線(xiàn)單光子探測(cè)器(SNSPD)是一種新型單光子檢測(cè)器,具有暗計(jì)數(shù)低、探測(cè)速率高、檢測(cè)頻譜寬等優(yōu)點(diǎn),在眾多領(lǐng)域存在潛在應(yīng)用。

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單光子探測(cè)器信號(hào)輸出采樣

在A/D轉(zhuǎn)換器進(jìn)行采樣期間,保持被轉(zhuǎn)換輸入信號(hào)不變的電路稱(chēng)為采樣保持電路。采樣保持器是指在邏輯電平的控制下處于“采樣”或“保持”兩種工作狀態(tài)的電路,在采樣狀態(tài)下,電路的輸出跟蹤輸入模擬信號(hào),在保持狀態(tài)下,電路的輸出保持著前一次采樣結(jié)束時(shí)刻的瞬時(shí)輸入模擬信號(hào),直到進(jìn)入下一次采樣狀態(tài)為止。A/D轉(zhuǎn)換器完成一次轉(zhuǎn)換所需要的時(shí)間稱(chēng)為轉(zhuǎn)換時(shí)間,不同A/D轉(zhuǎn)換芯片,其轉(zhuǎn)換時(shí)間各異,對(duì)于連續(xù)變化較快的模擬信號(hào)如果不采取采樣保持措施,將會(huì)引起轉(zhuǎn)換誤差;慢速變化的模擬信號(hào),在A/D轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,完全可以不必采用采樣保持電路,而且并不會(huì)影響A/D轉(zhuǎn)換的精度。單光子探測(cè)儀的介紹單光子探測(cè)技術(shù),是近些年剛剛起步的一種新式光電探測(cè)技術(shù),其原理是利用新式光電效應(yīng),可對(duì)入射的單個(gè)光子進(jìn)行計(jì)數(shù),以實(shí)現(xiàn)對(duì)極微弱目標(biāo)信號(hào)的探測(cè)。

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光子型探測(cè)器的材料

北京和力達(dá)科技有限公司,主營(yíng)極弱光檢測(cè),單光子探測(cè)器,熒光壽命分析儀,激光驅(qū)鳥(niǎo)器等,今天為您帶來(lái)光子型探測(cè)器的文章。

三元合金半導(dǎo)體碲鎘(Hg1-xCdxTe)是一種有重要應(yīng)用價(jià)值的探測(cè)器材料,它的禁帶寬度隨組成而變化。調(diào)節(jié)x值,可將探測(cè)器的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)選擇在1~30微米之間任何一個(gè)波長(zhǎng)上,其中x=0.20左右的材料(相應(yīng)的探測(cè)器峰值響應(yīng)波長(zhǎng)在 8~13微米)。碲鎘材料還具有介電常數(shù)小,熱膨脹系數(shù)小,電子遷移率高等優(yōu)點(diǎn),適宜于制作、多用途和新穎結(jié)構(gòu)的光子型探測(cè)器。掃積型光子探測(cè)器就是以碲鎘材料為優(yōu)選材料做成的新穎結(jié)構(gòu)的光子探測(cè)器。器件所接受的光照是一個(gè)自左向右掃描的光點(diǎn)。器件兩端加以偏置電壓。當(dāng)照射在某一位置上的光點(diǎn)激發(fā)出光生載流子后,這些載流子即在偏置電壓的驅(qū)動(dòng)下向信號(hào)讀出區(qū)作漂移運(yùn)動(dòng)。選擇光點(diǎn)掃描速度,使它嚴(yán)格等于光生載流子的遷移速度。這樣,當(dāng)光點(diǎn)從器件一端掃到另一端時(shí)所產(chǎn)生的光生載流子可以同步地累積在一起,并進(jìn)入信號(hào)讀出區(qū)。三元合金半導(dǎo)體碲鎘(Hg1-xCdxTe)是一種有重要應(yīng)用價(jià)值的探測(cè)器材料,它的禁帶寬度隨組成而變化。與光電導(dǎo)探測(cè)器相似,形成電信號(hào)。掃積型探測(cè)器的偏置電壓要足夠大,使載流子在漂移過(guò)程中來(lái)不及復(fù)合,也來(lái)不及擴(kuò)散。器件不能過(guò)長(zhǎng),一般只相當(dāng)于含10~20單元的線(xiàn)列器件的長(zhǎng)度。

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