鈣鈦礦鍍膜機介紹

主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等，可用于科研單位進行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗工作，廣泛應(yīng)用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領(lǐng)域。多源蒸發(fā)系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)介紹有機蒸發(fā)室：經(jīng)烘烤6小時左右，并連續(xù)抽氣真空優(yōu)于8。鈣鈦礦鍍膜機工作過程中樣品位于真空室上方，蒸發(fā)源位于真空室下方，向上蒸發(fā)鍍膜，且蒸發(fā)源帶有擋板裝置，防止蒸發(fā)源被污染。

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電阻蒸發(fā)鍍膜機介紹

通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為熱蒸發(fā)鍍膜，熱蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是歷史最悠久的PVD鍍膜技術(shù)之一。熱蒸發(fā)鍍膜機一般主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。

在高真空下，采用電阻式蒸發(fā)原理，利用大電流在蒸發(fā)舟上加熱所蒸鍍材料，使其在高溫下熔化蒸發(fā)，從而在樣品上沉積所需要的薄膜。通過調(diào)節(jié)所加電流的大小，可以方便的控制鍍膜材料的蒸發(fā)速率。通常適合熔點低于1500oC的金屬薄膜的制備。

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