Si3N4的使用溫度一般不超過1300°C

氮化硅的很多性能都?xì)w結(jié)于此結(jié)構(gòu)。純Si3N4為3119，有α和β兩種晶體結(jié)構(gòu)，均為六角晶形，其分解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數(shù)低、導(dǎo)熱率高。這里的氮化硅氮硅原子數(shù)目比并不是嚴(yán)格的4:3，而是根據(jù)工藝條件的不同而在一定范圍內(nèi)波動(dòng)，不同的原子比例對(duì)應(yīng)的薄膜的物理性質(zhì)有所不同。熱壓燒結(jié)的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會(huì)。在不太高的溫度下，Si3N4 具有較高的強(qiáng)度和抗沖擊性，但在1200℃以上會(huì)隨使用時(shí)間的增長而出現(xiàn)破損，使其強(qiáng)度降低，在1450℃以上更易出現(xiàn)疲勞損壞，所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。

氮化硅結(jié)合碳化硅磚的特點(diǎn)

氮化硅融合碳化硅磚特性是以Si3N4為融合劑。Si3N4以纖維狀或纖維結(jié)晶體存有于SiC晶體中間，是一種關(guān)鍵的新式耐火材料。一般含碳化硅70%～75%，氮化硅18%～25%。具備優(yōu)良耐腐蝕工作能力，1400℃抗折強(qiáng)度達(dá)50～55MPa，顯孔隙率15%。熱膨脹系數(shù)(4.5～5.0)×10-2℃-1。氮化硅結(jié)構(gòu)陶瓷具備耐熱性高。因?yàn)榈枋擎I強(qiáng)高的共價(jià)化合物，并在氣體里能產(chǎn)生金屬氧化物防護(hù)膜，因此還具備優(yōu)良的有機(jī)化學(xué)可靠性。若對(duì)Si3N4陶瓷材料進(jìn)行1400———1500℃高溫預(yù)氧化處理，則在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能顯著提高Si3N4陶瓷的耐氧化性和高溫強(qiáng)度。氮化硅融合碳化硅制品：氮化硅融合碳化硅原材料是一種耐火材料，關(guān)鍵商品有氮化硅融合碳化硅輻射管、氮化硅融合碳化硅磚等。1、氮化硅融合碳化硅制品，材質(zhì)硬實(shí)，硬度約為9，在非金屬材質(zhì)中歸屬于強(qiáng)度原材料，僅次金鋼石。2、氮化硅融合碳化硅制品的常溫下抗壓強(qiáng)度高，在1200-1400℃高溫下，基本上維持與常溫下同樣時(shí)間的抗壓強(qiáng)度和強(qiáng)度。3、熱膨脹系數(shù)小，對(duì)比碳化硅等產(chǎn)品導(dǎo)熱系數(shù)高，不容易造成焊接應(yīng)力，具備優(yōu)良熱震可靠性，使用期長。4、商品廣泛運(yùn)用于鋼材、稀有金屬、化工廠裝飾建材等多種多樣制造行業(yè)。

氮化硅大量回收

氮化硅大量回收

氮化硅制品按工藝可以分為反應(yīng)燒結(jié)制品、熱壓制品、常壓燒結(jié)制品、等靜壓燒結(jié)制品和反應(yīng)重?zé)破返?。其中，反?yīng)燒結(jié)是一種常用的生產(chǎn)氮化硅耐火制品的方法。

反應(yīng)燒結(jié)法生產(chǎn)氮化硅制品是將磨細(xì)的硅粉（粒度一般小于80μm），用機(jī)壓或等靜壓成型，坯體干燥后，在氮?dú)庵屑訜嶂?350～1400℃，在燒成過程中同時(shí)氮化而制得。采用這種生產(chǎn)方法，原料條件和燒成工藝及氣氛條件對(duì)制品的性能有很大的影響。