?蒸發(fā)結(jié)晶器布置有何講究

1.抽真空：打開(kāi)真空泵后，發(fā)現(xiàn)真空打不上，應(yīng)檢查各瓶口是否密封好，真空泵自身是否漏氣，放置軸處密封圈是否完好，外接真空管中串聯(lián)一只真空開(kāi)關(guān)可以提高回收率和蒸發(fā)速度。??

2.加料：利用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器系統(tǒng)真空負(fù)壓，液料可在加料口上用軟管吸入旋轉(zhuǎn)瓶，液料不要超過(guò)旋轉(zhuǎn)瓶的一半。本儀器可連續(xù)加料，加料時(shí)需注意：

①關(guān)掉真空泵

②停止加熱

③待蒸發(fā)停止后緩緩打開(kāi)管旋塞，以防倒流。?

3.加熱：旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器配用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的水浴鍋，必須先加水后通電，溫控刻度0-99℃可供參考。由于熱慣性的存在，實(shí)際水溫要比設(shè)定溫度上沖2度左右，使用時(shí)可修正設(shè)定值，如：您需要水溫1/3-1/2。用畢拔去電源插頭。??

4.旋轉(zhuǎn)：打開(kāi)旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器電控箱開(kāi)關(guān)，調(diào)節(jié)旋扭至蒸發(fā)轉(zhuǎn)速。注意避開(kāi)水浴振波動(dòng)，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器接通冷卻水。?

5.回收溶媒：關(guān)掉真空泵，打開(kāi)加料開(kāi)關(guān)放氣，取出收集瓶?jī)?nèi)溶媒。耐腐蝕硫酸氨mvr蒸發(fā)器供求信息,耐腐蝕硫酸氨mvr蒸發(fā)器供求信息

浮熔融結(jié)晶器專(zhuān)業(yè)介紹分析

 浮熔融結(jié)晶器專(zhuān)業(yè)講解  

         采用懸浮熔融結(jié)晶器方式要想得到超純的晶體，必須控制好晶體的生長(zhǎng)，得到超純晶體，但是這種方法不可避免的涉及到晶體和溶液（熔融體、母液）之間的分離。99%的晶體里僅僅含有1%的40%濃度的母液，則會(huì)使終產(chǎn)品的純度降到99.4%。所以必須在實(shí)驗(yàn)室里驗(yàn)證固液分離的可靠性和可行性。說(shuō)明管內(nèi)有人的阻塞物，如木塞、清洗管件用的砂布、棉紗等遺留在管件內(nèi)。好在隨著水洗塔技術(shù)的出現(xiàn)，固液可以達(dá)到有效分離，通過(guò)該種方式制備超純的晶體是完全的可以實(shí)現(xiàn)的。一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于懸浮熔融結(jié)晶，過(guò)濾或離心分離以及水洗塔步驟是不可避免的。

對(duì)于懸浮熔融結(jié)晶器的生產(chǎn)速率主要取決于晶體的生長(zhǎng)速率和晶體的表面積。在懸浮式結(jié)晶過(guò)程中，晶體的比表面積相當(dāng)大，每立方米內(nèi)晶體的表面積數(shù)量級(jí)可以達(dá)到一萬(wàn)平方米，晶體成長(zhǎng)速率較慢，數(shù)量級(jí)約為10的負(fù)7次方到10的負(fù)8次方。當(dāng)設(shè)備工作的環(huán)境溫度在0℃以下時(shí),應(yīng)將設(shè)備及其管路內(nèi)的積水放盡,以免凍壞或阻塞管路。雖然晶體生長(zhǎng)速率慢，但是由于較大的比表面積，也可以獲得滿(mǎn)意的生產(chǎn)速率。耐腐蝕硫酸氨mvr蒸發(fā)器供求信息

結(jié)晶蒸發(fā)器設(shè)備新工藝流程講述

1.  換熱器的物料性質(zhì)。物料和設(shè)備特性匹配好，當(dāng)然是可用的。

2.  過(guò)飽和度控制在介穩(wěn)區(qū)以?xún)?nèi)：對(duì)于晶體生長(zhǎng)，必須嚴(yán)格控制過(guò)飽和度的產(chǎn)生和消除。也就是說(shuō)，將操作保持在介穩(wěn)區(qū)域。對(duì)于大多數(shù)產(chǎn)品，可以根據(jù)溶解度和溫度的關(guān)系，粗略控制在過(guò)冷度為△T=1-3℃或“允許過(guò)冷度”的一半。溶液濃度/飽和濃度=1.02-1.05。若以氯化鈉產(chǎn)品來(lái)估算，循環(huán)物料和進(jìn)料之比約在100-200:1之間?！鰿=P/Q，P-晶體產(chǎn)品產(chǎn)量kg/h,Q-循環(huán)泵流量，m3/h, △C-過(guò)飽和度，kg/m3。3）每二個(gè)月打開(kāi)底軸承，檢查底軸承磨損情況，必要時(shí)更換底軸承。強(qiáng)烈建議自己試驗(yàn)測(cè)定介穩(wěn)區(qū)寬度，介穩(wěn)區(qū)寬度分為初級(jí)成核和二次成核介穩(wěn)區(qū)寬度，工業(yè)化中，主要考慮是二次成核介穩(wěn)區(qū)寬度。文獻(xiàn)上發(fā)表的大多是初級(jí)成核介穩(wěn)區(qū)寬度，工業(yè)化過(guò)程介穩(wěn)區(qū)寬度控制在初級(jí)成核介穩(wěn)區(qū)寬度的10%-30%之間。一般情況下，含有結(jié)晶水的介穩(wěn)區(qū)寬度比無(wú)水的無(wú)機(jī)物要寬，有機(jī)物系比有機(jī)物系寬。過(guò)飽和度不僅僅有大小，還有分布。尤其注意混合、換熱界面、攪拌槳葉附近等過(guò)飽和度的大小，機(jī)械混合可以減小亞穩(wěn)區(qū)的寬度。

3.  控制過(guò)飽和度水平，使過(guò)飽和度主要以生長(zhǎng)的方式消耗，避免初級(jí)成核，控制二次成核。通常成核晶體的大小為0.1到10微米。

4.  避免清液開(kāi)車(chē)。開(kāi)車(chē)時(shí)，加入晶種。比如加入產(chǎn)品量的10%的細(xì)晶種。

5.  晶體生長(zhǎng)速率：溶液結(jié)晶大約在0.1-0.8 mm/h ，熔融結(jié)晶比溶液結(jié)晶快1到2個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于大多數(shù)系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，10-7m/s的增長(zhǎng)速率發(fā)生在30℃左右，但對(duì)于NaCl來(lái)說(shuō)，這個(gè)速率直到70℃才會(huì)出現(xiàn)。加熱：旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器配用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的水浴鍋，必須先加水后通電，溫控刻度0-99℃可供參考。例如，在10-7m/s的生長(zhǎng)速度下，晶體在3小時(shí)內(nèi)生長(zhǎng)到2 mm；如果生長(zhǎng)速度為10-9m/s，則晶體生長(zhǎng)到2 mm需要10天。

6.  過(guò)度混合通常會(huì)抑制生長(zhǎng)。由于晶體撞擊泵和混合器葉輪的二次“接觸成核”，混合也會(huì)影響晶粒尺寸分布CSD，特別是在反應(yīng)結(jié)晶中。耐腐蝕硫酸氨mvr蒸發(fā)器供求信息