石墨錐卸下按不回去了怎么辦？

（1）石墨管與石墨環(huán)接觸不良，造成接觸電阻加大；

（2）氬氣質(zhì)量不佳，也會(huì)造成石墨管（環(huán)）提前過(guò)氧化；

（3）樣品的酸度過(guò)高，造成石墨管碳化嚴(yán)重；

所以建議定期清理石墨錐，盡可能使用進(jìn)口石墨管

石墨錐卸下按不回去可以看下安裝石墨錐的位置是否清理干凈，另外石墨錐一次安裝時(shí)，石墨錐體稍大于安裝石墨錐的位置，所以需要用力慢慢安裝。

島津石墨錐的特殊性質(zhì)

1、耐高溫型：石墨的熔點(diǎn)為 3850± 50℃，沸點(diǎn)為 4250℃， 即使經(jīng)超高溫電弧灼燒，重量的損失很小，熱膨脹系數(shù)也很小。石墨強(qiáng)度隨溫度提高而加強(qiáng)，在2000℃時(shí)，石墨強(qiáng)度提高一倍。

2、導(dǎo)電、導(dǎo)熱性：石墨的導(dǎo)電性比一般非金屬礦高一百倍。因此，許多輸送腐蝕性介質(zhì)的壓縮機(jī)和泵廣泛采用石墨材料制成的活塞環(huán)、密封圈和軸承。導(dǎo)熱性超過(guò)鋼、鐵、鉛等金屬材料。導(dǎo)熱系數(shù)隨溫度 升高而降低，甚至在極高的溫度下，石墨成絕熱體。石墨能 夠?qū)щ娛且驗(yàn)槭忻總€(gè)碳原子與其他碳原子只形成3個(gè)共 價(jià)鍵 , 每個(gè)碳原子仍然保留1個(gè)自由電子來(lái)傳輸電荷。

3、潤(rùn)滑性：石墨的潤(rùn)滑性能取決于石墨鱗片的大小，鱗片越大，摩擦系數(shù)越小，潤(rùn)滑性能越好。

4、化學(xué)穩(wěn)定性：石墨在常溫下有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，能耐酸、耐堿的腐蝕。

5、可塑性：石墨的韌性好，可碾成很薄的薄片。

6、抗熱震性：石墨在常溫下使用時(shí)能經(jīng)受住溫度的劇烈變化而不致破壞，溫度突變時(shí)，石墨的體積變化不大，不會(huì)產(chǎn)生裂紋

島津石墨錐加工的優(yōu)越性

1、良好的可加工性

石墨材料的切削阻力較小，其加工效力約莫是銅的兩倍到三倍)左右，采納石墨材料可以減少電極的加工日間。

2、放電粗加工效力

銅的熔點(diǎn)為1083℃，而放電剎時(shí)溫度能達(dá)到1100℃，采納銅電極很易磨損，而石墨在3550℃才會(huì)呈現(xiàn)升華，以是采納石墨電極更易蒙受大電流，還能夠完成更微的電極消耗。

3、較易實(shí)現(xiàn)薄筋樣式加工

切削熱產(chǎn)生的銅電極加工容易產(chǎn)生熱變形，因?yàn)椴牧系乃苄孕再|(zhì)，在加工薄筋樣式時(shí)會(huì)輕易就發(fā)生彈性形變?nèi)瞧鸺庸ふ鹗?而石墨自己由顆粒燒結(jié)而成，其耐熱、脆性材質(zhì)的特征，可以減少加工變形和振動(dòng)。

4、較小的熱膨脹率

石墨的熱膨脹率是銅的1/4，能夠有效地減小電極加熱變形引起的偏差。

5、重量更輕

石墨的密度只有銅的1/5，大型電極進(jìn)行放電加工時(shí)，能有效降低機(jī)床(EDM)的負(fù)擔(dān);更適合于在大型模具上的應(yīng)用。

6、沒(méi)有毛刺

銅電極在加工完成后，還需手工進(jìn)行修整以去除毛刺，而石墨加工后沒(méi)有毛刺，節(jié)約了大量成本，同時(shí)更容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。

7、加工速度更快

通常情況下，石墨的機(jī)械加工速度能比銅快2~5倍;而放電加工速度比銅快2~3倍材料更不容易變形：在薄筋電極的加工上優(yōu)勢(shì)明顯;銅的軟化點(diǎn)在1000度左右，容易因受熱而產(chǎn)生變形;石墨的升華溫度為3650度;熱膨脹系數(shù)僅有銅的1/30。

8、放電消耗更小

由于火花油中也含有C原子，在放電加工時(shí)，高溫導(dǎo)致火花油中的C原子被分解出來(lái)，轉(zhuǎn)而在石墨電極的表面形成保護(hù)膜，補(bǔ)償了石墨電極的損耗。

9、更易研磨和拋光

由于石墨的切削阻力只有銅的1/5，更容易進(jìn)行手工的研磨和拋光。

島津石墨錐的材料

高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石墨，在組織結(jié)構(gòu)上可分為粗顆粒結(jié)構(gòu)、細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)和超細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)三類(lèi)，高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。99%以上的石墨，在組織結(jié)構(gòu)上可分為粗顆粒結(jié)構(gòu)、細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)和超細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)三類(lèi)，高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎(chǔ)材料主要是硅單晶芯片，目前硅單晶的成長(zhǎng)工藝主要采用直拉(CZ)法，其他方法還有磁場(chǎng)直拉法(MCZ)、區(qū)域(FZ)法以及雙坩堝拉晶法，全球電子工業(yè)用直拉單晶硅約占單晶硅總用量的80%,直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品，采用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱系統(tǒng)。2005年中國(guó)需要直拉硅單晶爐用石墨約800t。

高純石墨另一重要用途是加工成各類(lèi)?ài)釄?，用于生產(chǎn)、稀有金屬或高純金屬、非金屬材料。島津石墨錐的同性石墨雖然國(guó)際上對(duì)各向同性石墨的定義有待于進(jìn)一步明確，一般是測(cè)量產(chǎn)品直徑方向和長(zhǎng)度方向的某些物理性能指標(biāo)并計(jì)算其比值，有的用熱膨脹系數(shù)的比值表示，較簡(jiǎn)單的是以電阻率的比值表示，其異向比在1。光譜分析用石墨電極也是一種高純石墨，可用于除碳素以外的所有元素的光譜化學(xué)分析,光譜分析用石墨電極用擠壓方法成型。成品的雜質(zhì)元素含量應(yīng)不大于6*10-5在光譜分析中制備標(biāo)準(zhǔn)樣品和用化學(xué)方法捕集雜質(zhì)時(shí)需用光譜純炭粉或光譜純石墨粉，這兩種高純材料對(duì)雜質(zhì)含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，需要含碳量達(dá)到99.9995%,總灰分含量小于5*10-6。高純石墨的成型方法有擠壓成型、模壓成型及等靜壓成型三種。