將納米氮化鈦添加到TiN/Al2O3復(fù)相納米陶瓷中，通過各種方法（如機械混合法）等將其混合均勻，得到的這種含有納米氮化鈦顆粒的陶瓷材料內(nèi)部便形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。這種材料可作為電子元件應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)中。

（6）在鎂碳磚中添加一定量的TiN，能夠使鎂碳磚的抗渣侵蝕性得到很大程度的提高。

（7）氮化鈦是一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料，可用于噴汽推進(jìn)器以及火箭等。在軸承和密封環(huán)領(lǐng)域也多用氮化鈦合金，凸顯了氮化鈦優(yōu)異的應(yīng)用效果。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

蒸發(fā)鍍膜過程中，從膜材表面蒸發(fā)的粒子以一定的速度在空間沿直線運動，直到與其他粒子碰撞為止。在真空室內(nèi)，當(dāng)氣相中的粒子濃度和殘余氣體的壓力足夠低時，這些粒子從蒸發(fā)源到基片之間可以保持直線飛行，否則，就會產(chǎn)生碰撞而改變運動方向。為此，增加殘余氣體的平均自由程，以減少其與蒸發(fā)粒子的碰撞幾率，把真空室內(nèi)抽成高真空是必要的。當(dāng)真空容器內(nèi)蒸發(fā)粒子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離(以下稱蒸距)時，就會獲得充分的真空條件。設(shè)蒸距(蒸發(fā)源與基片的距離)為L，并把L看成是蒸發(fā)粒子已知的實際行程，λ為氣體分子的平均自由程，設(shè)從蒸發(fā)源蒸發(fā)出來的蒸汽分子數(shù)為N0，在相距為L的蒸發(fā)源與基片之間發(fā)生碰撞而散射的蒸汽分子數(shù)為N1，而且假設(shè)蒸發(fā)粒子主要與殘余氣體的原子或分子碰撞而散射，則有N1/N0=1-exp(L/λ)(1) 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

真空鍍膜室壁上單分子層所吸附的分子數(shù)Ns與氣相中分子數(shù)N的比值近似值。通常在常用的高真空系統(tǒng)中，其內(nèi)表面上所吸附的單層分子數(shù)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過氣相中的分子數(shù)。因此，除了蒸發(fā)源在蒸鍍過程中所釋放的氣體外，在密封和抽氣系統(tǒng)性能均良好和清潔的真空系統(tǒng)中，若氣壓處于10-4Pa時，從真空室壁表面上解吸出來的氣體分子就是真空系統(tǒng)內(nèi)的主要氣體來源。真空下室壁單分子層所吸附的分子數(shù)與氣相分子數(shù)之比分子數(shù)與氣相分子數(shù)A-鍍膜室的內(nèi)表面積，cm2;V-鍍膜室的容積，cm3;ns-單分子層內(nèi)吸附分子數(shù)，個/cm2;n-氣相分子數(shù)，個/cm3 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

殘余氣體分子撞擊著真空室內(nèi)的所有表面，包括正在生長著的膜層表面。在室溫和10-4Pa壓力下的空氣環(huán)境中，形成單一分子層吸附所需的時間只有2.2s?？梢姡谡舭l(fā)鍍膜過程中，如果要獲得高純度的膜層，必須使膜材原子或分子到達(dá)基片上的速率大于殘余氣體到達(dá)基片上的速率，只有這樣才能制備出純度好的膜層。這一點對于活性金屬材料基片更為重要，因為這些金屬材料的清潔表面的粘著系數(shù)均接近于1。在10-2Pa～10-4Pa壓力下蒸發(fā)時，膜材蒸汽分子與殘余氣體分子到達(dá)基片上的數(shù)量大致相等，這必將影響制備的膜層質(zhì)量。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制