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金屬蝕刻加工可以加工SUS304不銹鋼牌號(hào)的不銹鋼,也可以加工諸如SUS316不銹鋼,銅,黃銅,鈹銅,MX215等合金材料。304不銹鋼材料的應(yīng)用為廣泛,因?yàn)檫@種材料本身的抗腐蝕性能比較強(qiáng),蝕刻加工完成之后的產(chǎn)品,不論是產(chǎn)品的尺寸,精度還是表面都能夠完全符合客戶的要求。興之揚(yáng)是一家專注于精密蝕刻加工的深圳廠家,多年來成長(zhǎng)為大型精密蝕刻加工廠。
金屬蝕刻加工的特點(diǎn):1.目標(biāo)性。所謂目標(biāo)性,就是通過某一工藝流程的全過程有一個(gè)明確的輸出,或者說要達(dá)到某一特定的目的。對(duì)于金屬蝕刻加工而言,這個(gè)目的就是滿足其設(shè)計(jì)圖紙對(duì)產(chǎn)品的要求,更加具體的說,這些要求包括產(chǎn)品的蝕刻尺寸要求,經(jīng)蝕刻后的表面粗糙度要求等。在半導(dǎo)體制程中純化學(xué)反應(yīng)性蝕刻應(yīng)用的情況通常為不需做圖形轉(zhuǎn)換的步驟,如光阻的去除等。
2.內(nèi)在性。所謂內(nèi)在性,是指一個(gè)公益流程必須要有其內(nèi)在的特定內(nèi)容,也可以說是內(nèi)容的真實(shí)性。這些內(nèi)容包含于工藝流程的每一個(gè)步驟中,以及參與這些步驟的所有操作者的行為過程。
3.整體性。所謂整體性,是指工藝流程中至少要有兩個(gè)或兩個(gè)以上的工序組成。因?yàn)樽鳛榱鞒潭缘墓に嚵鞒滩豢赡苁怯梢粋€(gè)加工步驟來完成的,同時(shí)一個(gè)加工步驟也無法在工藝流程中完成流轉(zhuǎn),至少要兩個(gè)或兩個(gè)以上的步驟及其相關(guān)活動(dòng)才能建立起一個(gè)基本的結(jié)構(gòu)或者關(guān)系,才能進(jìn)行流轉(zhuǎn)。0075mm的精度,滿足不同產(chǎn)品的組裝要求,材料越薄,精度控制相對(duì)越高。對(duì)于金屬蝕刻加工工藝而言,也是由多個(gè)工序、各工序的工藝參數(shù)、各工序規(guī)定的工具及其相關(guān)設(shè)備組合而成的一個(gè)完整的工藝規(guī)范統(tǒng)一體,并且相互之間是不可分割的。
PH值在蝕刻不銹鋼網(wǎng)片過程中充當(dāng)著重要的角色:
pH值對(duì)光致抗蝕劑的性能也有重大的影響,低pH值有助于少的側(cè)蝕(較高的蝕刻系數(shù))。
高pH值一般是針對(duì)快速蝕刻而言的。系統(tǒng)每天都開,但板子不是連續(xù)運(yùn)行的,所以水會(huì)因揮發(fā)造成損失,但這種損失遠(yuǎn)少于從NHOH添加液中獲得的量。然而,對(duì)于一個(gè)給定的堿性蝕刻體系,pH值必須高于低值(依賴于銅的濃度),目的是為了維持溶液中的銅鹽含量。所以當(dāng)pH值過高時(shí),必須增加排氣量,升高銅含量或降低補(bǔ)充液中的總堿度,高pH值有助于較多的銅的溶解。高pH值會(huì)產(chǎn)生較大的側(cè)蝕并會(huì)影響到一些光致抗蝕劑的性能,特別是水溶性光致抗蝕劑,氨水或NH4OH的添加通常是由一個(gè)pH感應(yīng)控制系統(tǒng)自動(dòng)完成的。因?yàn)镹H4OH含水,所以水的補(bǔ)加就必須保持平衡,以確保添加的水不會(huì)使氯離子或銅的濃度降低到它們的推薦值下面。
當(dāng)堿性蝕刻液的pH值較高時(shí),一些水溶性的抗蝕劑就會(huì)軟化,甚至被剝除。因此,較低的pH值可以被應(yīng)用于精細(xì)線路的蝕刻。如果pH值過低,必須通過降低排氣,降低銅含量,加入氨水或增加補(bǔ)充液中的總堿度。溶液的pH值在銅的可溶性控制、蝕刻速率和側(cè)蝕方面非常關(guān)鍵。型號(hào)409—最廉價(jià)的型號(hào)(英美),通常用作汽車排氣管,屬鐵素體不銹鋼(鉻鋼)。補(bǔ)充液中的NH4OH提供了大量的需要維持堿性的pH值(遠(yuǎn)高于7.0)的基礎(chǔ)液,但額外需要的氨水要求達(dá)到推薦的pH值范圍(遠(yuǎn)大于7.0)。相反,低pH值是針對(duì)慢速蝕刻的。當(dāng)氨水中不含會(huì)攪亂系統(tǒng)平衡性的水時(shí),氨氣在pH值的控制下會(huì)工作得很好,但使用時(shí)是相當(dāng)危險(xiǎn)的。因此,高pH值的堿性蝕刻劑一般運(yùn)用于高產(chǎn)率的生產(chǎn)。然而,對(duì)于一個(gè)給定的堿性蝕刻體系,pH值必須高于低值(依賴于銅的濃度),目的是為了維持溶液中的銅鹽含量。
興之揚(yáng)蝕刻不銹鋼網(wǎng)片小編來向大家說說電漿干法蝕刻中的基本物理及化學(xué)現(xiàn)象:
在干法蝕刻中,隨著制程參數(shù)及電漿狀態(tài)的改變,可以區(qū)分為兩種極端的性質(zhì)的蝕刻方式,即純物理性蝕刻與純化學(xué)反應(yīng)性蝕刻。純物理性蝕刻可視為一種物理濺鍍(Sputter)方式,它是利用輝光放電,將氣體如Ar,解離成帶正電的離子,再利用偏壓將離子加速,濺擊在被蝕刻物的表面,而將被蝕刻物質(zhì)原子擊出。此過程乃完全利用物理上能量的轉(zhuǎn)移,故謂之物理性蝕刻。興之揚(yáng)蝕刻電視304不銹鋼網(wǎng)小編來給大家講解什么是干法蝕刻:電漿干法蝕刻主要應(yīng)用于集成電路制程中線路圖案的定義,通常需搭配光阻的使用及微影技術(shù),其中包括了1)氮化硅(Nitride)蝕刻:應(yīng)用于定義主動(dòng)區(qū)。其特色為離子撞擊擁有很好的方向性,可獲得接近垂直的蝕刻輪廓。但缺點(diǎn)是由于離子是以撞擊的方式達(dá)到蝕刻的目的,因此光阻與待蝕刻材料兩者將同時(shí)遭受蝕刻,造成對(duì)屏蔽物質(zhì)的蝕刻選擇比變差,同時(shí)蝕刻終點(diǎn)必須精準(zhǔn)掌控,因?yàn)橐噪x子撞擊方式蝕刻對(duì)于底層物質(zhì)的選擇比很低。且被擊出的物質(zhì)往往非揮發(fā)性物質(zhì),而這些物質(zhì)容易再度沉積至被蝕刻物薄膜的表面或側(cè)壁。加上蝕刻效率偏低,因此,以純物理性蝕刻方式在集成電路制造過程中很少被用到。
純化學(xué)反應(yīng)性蝕刻,則是利用電漿產(chǎn)生化學(xué)活性極強(qiáng)的原(分)子團(tuán),此原(分)子團(tuán)擴(kuò)散至待蝕刻物質(zhì)的表面,并與待蝕刻物質(zhì)反應(yīng)產(chǎn)生揮發(fā)性之反應(yīng)生成物,并被真空設(shè)備抽離反應(yīng)腔。因此種反應(yīng)完全利用化學(xué)反應(yīng)來達(dá)成,故謂之化學(xué)反應(yīng)性蝕刻。但在實(shí)際生產(chǎn)中也不能無限制地增加NaOH濃度,原因是:a、NaOH濃度對(duì)蝕刻速度影響太高的NaOH濃度稠度太大,影響反應(yīng)的正常進(jìn)行,同時(shí)也增加了對(duì)抗蝕層的要求。此種蝕刻方式相近于濕式蝕刻,只是反應(yīng)物及產(chǎn)物的狀態(tài)由液態(tài)改變?yōu)闅鈶B(tài),并利用電漿來促進(jìn)蝕刻的速率。因此純化學(xué)反應(yīng)性蝕刻擁有類似于濕式蝕刻的優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn),即高選擇比及等向性蝕刻。在半導(dǎo)體制程中純化學(xué)反應(yīng)性蝕刻應(yīng)用的情況通常為不需做圖形轉(zhuǎn)換的步驟,如光阻的去除等。