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磁控濺射沉積設(shè)備廠家服務(wù)至上 沈陽鵬程真空技術(shù)公司

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發(fā)布時(shí)間:2020-10-30 05:14  






雙靶磁控濺射鍍膜機(jī)的特點(diǎn)有哪些?

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品,以下信息由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1:此款鍍膜儀配置有兩個(gè)靶槍:一個(gè)靶槍配套的是射頻電源,用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜;一個(gè)靶槍配套的是直流電源,用于導(dǎo)電材料的濺射鍍膜

2:該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜,應(yīng)用非常廣泛。

3:該鍍膜儀體積較小,且配備有觸摸屏控制面板,操作方便。



磁控濺射介紹

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品,我們公司堅(jiān)持用戶為上帝,想用戶之所想,急用戶之所急,以誠為本,講求信譽(yù),以產(chǎn)品求發(fā)展,以質(zhì)量求生存,我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動(dòng)能后飛濺出來的,因而濺射出來的原子能量高,有利于提高沉積時(shí)原子的擴(kuò)散能力,提高沉積組織的致密程度,使制出的薄膜與基片具有強(qiáng)的附著力。

濺射時(shí),氣體被電離之后,氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材,電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下,產(chǎn)生的離子數(shù)目少,靶材濺射效率低;一個(gè)靶槍配套的是直流電源,用于導(dǎo)電材料的濺射鍍膜2:該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜,應(yīng)用非常廣泛。而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產(chǎn)生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射,影響制膜質(zhì)量。另外,靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加,因而被散射到整個(gè)腔體,既會(huì)造成靶材浪費(fèi),又會(huì)在制備多層膜時(shí)造成各層的污染。



磁控濺射設(shè)備的主要用途

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司擁有先進(jìn)的技術(shù),我們都以質(zhì)量為本,信譽(yù)高,我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業(yè)務(wù)。如果您對(duì)磁控濺射產(chǎn)品感興趣,歡迎點(diǎn)擊左右兩側(cè)的在線客服,或撥打咨詢電話。

(1)各種功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低溫沉積氮化硅減反射膜,以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

(2)裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機(jī)外殼,鼠標(biāo)等。

(3) 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī)

(4)化學(xué)氣相沉積(CVD)生長困難及不適用的材料薄膜沉積,而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。

(5) 在光學(xué)領(lǐng)域:中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。

(6)在機(jī)械加工行業(yè)中,表面功能膜、超硬膜,自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展,能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。

磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域,還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。



自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)概述

帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能,大到6'旋轉(zhuǎn)平臺(tái),可支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵,極限真空可達(dá)10-7 Torr,15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。濺射方法很多,主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。通過調(diào)整磁控管與基片之間的距離,可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

帶有14”立方形不銹鋼腔體,4個(gè)2”的磁控管,DC直流和RF射頻電源。 在選配方面,350 l/s渦輪分子泵,額外的磁控管和襯底加熱功能。

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