脈沖激光沉積簡(jiǎn)介

脈沖激光沉積，就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。膜在這個(gè)熱能區(qū)（碰撞區(qū)）形成后立即生成，這個(gè)區(qū)域正好成為凝結(jié)粒子的較佳場(chǎng)所。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來(lái)制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來(lái)制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。

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脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術(shù)語(yǔ)，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測(cè)的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應(yīng)用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長(zhǎng)的單分子水平控制。

正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下，PLD 采用較高的壓力，差動(dòng)抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時(shí)保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時(shí)，設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場(chǎng)對(duì)電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500 mTorr 時(shí)所需的單分子層控制。

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【設(shè)備主要用途】

PLD450A型脈沖激光沉積設(shè)備采用PLD脈沖激光沉積技術(shù)，用于制備高溫超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體膜、鐵電薄膜、硬質(zhì)薄膜以及微電子和光電子用多元氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)，也可用于制備氮、碳、硅化合物及各種有機(jī)—無(wú)機(jī)復(fù)合材料薄膜及金剛石薄膜等。

【設(shè)備優(yōu)點(diǎn)】

設(shè)備全程采用一鍵式操作抽氣，關(guān)機(jī)，程序自動(dòng)化定時(shí)操作。避免了繁瑣的角閥，插板閥人工開啟。

【設(shè)備主要組成】

設(shè)備由沉積腔室（單室球形或圓筒形）、樣品加熱轉(zhuǎn)臺(tái)、激光入射轉(zhuǎn)靶、激光窗、電源控制系統(tǒng)、激光束掃描系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制轉(zhuǎn)靶的旋轉(zhuǎn)、脈沖準(zhǔn)分子激光器等組成

脈沖激光沉積設(shè)備介紹

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是比較理想的薄膜與涂層合成設(shè)備。主腔室預(yù)留備用的腔口，如用于觀察靶材和基底，安裝原子吸收或發(fā)射光譜儀、原位橢偏儀、離子槍或磁控濺射源、殘留氣體分析器和離子探針或其他的元件等等5?？芍苽涞谋∧ぐǖ?、氧化物、多層膜、鉆石、石墨烯、碳納米管、2D材料。Blue Wave還提供相關(guān)系統(tǒng)配件，例如基片加熱裝置、原位監(jiān)測(cè)工具。此外，BlueWave還為您提供標(biāo)準(zhǔn)的薄膜以及材料涂層，例如氧化物涂層、導(dǎo)電薄膜、無(wú)定型或納米晶Si/SiC、晶體AlN-GaN、聚合物、納米鉆石、HFCVD鉆石涂層以及器件加工。