高壓固態(tài)軟啟動(dòng)核心元器件

主要核心器件：可控硅（晶閘管），高壓真空接觸器，控制板等

真空接觸器主要技術(shù)參數(shù)：一般采用1臺(tái)真空接觸器，如果有特殊要求可采用2臺(tái)真空接觸器；

（1）真空接觸器參數(shù)及技術(shù)要求：額定電壓：12KV,額定電流：630A,額定峰值耐受電流值：15KA,短路開斷電流：4000A,短路關(guān)合電流：8000A,額定允許2/1周期過電流（峰值）：55KA,額定絕緣水平：1MIN工步耐受電壓（有效值）：42KV，雷電沖擊耐受電壓（全波，峰值）：75KV

（2）機(jī)械壽命：10000次，額定電流下的電氣壽命10000次；

（3）接觸器操作時(shí)間：合閘時(shí)間，小于30MS,分閘時(shí)間：小于45MS;

（4）真空接觸器應(yīng)符合國際及IEC有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)；

（5）真空接觸器國內(nèi)品牌選用成都國光，無錫藍(lán)虹，進(jìn)口品牌：ABB，施耐德，西門子等；

 可控硅采用國內(nèi)品牌：南車時(shí)代，進(jìn)口品牌：ABB品牌；10KV采用30支可控硅，源自平分均壓的原理，能有效保護(hù)可控硅的使用壽命，便于更換維護(hù)；

    高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜由湖北億信華聯(lián)機(jī)電設(shè)備制造有限公司專業(yè)生產(chǎn)，主回路采用晶閘管，通過逐步改變晶閘管的導(dǎo)通角來抬升電壓，完成啟動(dòng)過程，這是軟啟動(dòng)器的基本原理。目前在低壓軟啟動(dòng)器市場(chǎng)，產(chǎn)品繁多，但是高壓軟啟動(dòng)器產(chǎn)品還是比較少。

   高壓軟啟動(dòng)器與低壓軟啟動(dòng)器基本原理一樣，但是高壓軟啟動(dòng)器與低壓軟啟動(dòng)器相比，有些地方存在著其特殊性：

   1.高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜在高壓環(huán)境下工作，各種電氣元器件的絕緣性能一定要好，電子芯片的抗干擾能力要強(qiáng)。高壓軟起動(dòng)柜組成電氣柜時(shí)，電氣元器件的布局以及與高壓軟啟動(dòng)器與其它電氣設(shè)備的連接也是非常重要的。

   2.高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜必須有一個(gè)的控制核心，能對(duì)信號(hào)進(jìn)行及時(shí)和快速地處理。因此這個(gè)控制核心一般采用的DSP芯片，而不是低壓軟啟動(dòng)器的普通單片機(jī)芯。低壓軟啟動(dòng)器主回路由三組反并聯(lián)的晶閘管組成。而在高壓軟啟動(dòng)器中，由于目前單只高壓晶閘管的耐壓能力不夠，所以必須由多個(gè)高壓晶閘管串聯(lián)進(jìn)行分壓。出廠設(shè)置為具有限流功能的電壓斜坡，也是最靠的起動(dòng)模式．可以滿足大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合。但是每個(gè)晶閘管的性能參數(shù)沒有完全一致。晶閘管參數(shù)的不一致，會(huì)導(dǎo)致晶閘管開通時(shí)間不一致，從而導(dǎo)致晶閘管的損壞。因此在晶閘管的選配上，必須保證每一相的晶閘管參數(shù)盡可能地一致，并且每一相晶閘管的RC濾波電路的元件參數(shù)盡可能一致。 高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜的一個(gè)難點(diǎn)在晶閘管的觸發(fā)上。由于主回路有多個(gè)晶閘管，每個(gè)晶閘管需要一塊觸發(fā)板來完成觸發(fā)。

高壓固態(tài)軟起動(dòng)柜也稱晶闡管軟啟動(dòng)柜，固態(tài)軟啟動(dòng)裝置。

采用可控硅串聯(lián)技術(shù)的中壓電機(jī)軟啟動(dòng)裝置對(duì)元器件特性參數(shù)的一致性要求很高，元器件的篩選率很低，而且篩選儀器的價(jià)格很高，這致使裝置的價(jià)格較高。破碎機(jī)：利用堵轉(zhuǎn)保護(hù)和快速保護(hù)，避免機(jī)械故障和阻塞造成電動(dòng)機(jī)過熱而燒毀。另外在使用一段時(shí)間后，元器件的參數(shù)還會(huì)發(fā)生變化，使元器件的均壓性能降低，極易造成整串元器件的損壞，使這種裝置的可靠性降低，一旦元器件損壞，用戶很難修復(fù)，另外價(jià)格也很高。

可控硅串聯(lián)式軟啟動(dòng)裝置的輸出電壓連續(xù)可調(diào)（從零開始），因而不會(huì)產(chǎn)生過電壓。