氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結(jié)構(gòu),閃鋅礦結(jié)構(gòu)(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內(nèi)四個碳原子的位置);NaC結(jié)構(gòu);CsCl結(jié)構(gòu)(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結(jié)構(gòu)(六方結(jié)構(gòu),氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。

氧化鋅（ZnO）單晶已被應(yīng)用于表面聲波(SAW)器件、氣敏元件、壓電元件、透明導(dǎo) 電體、壓敏電阻等眾多方面。作為氧化鋅單晶的培養(yǎng)方法，已知有利用水熱合成法的培養(yǎng)方法。水熱合成法是 在高溫高壓的原料水溶液中培養(yǎng)晶體的方法，是利用由溫差引起的過飽和度使晶體在晶種 上析出的方法。氧化鋅（ZnO）晶體有三種結(jié)構(gòu)∶六邊纖鋅礦結(jié)構(gòu)、立方閃鋅礦結(jié)構(gòu),以及比較罕見的氯化鈉式八面體結(jié)構(gòu)。

目前,生長氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長高質(zhì)量、大尺寸ZnO單晶體的zui有效的方法?；谘趸\（ZnO）的紫外激光器的實現(xiàn)掀起了對于傳統(tǒng)的纖鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體氧化鋅（ZnO）材料的新的研究熱潮.氧化鋅（ZnO）以其優(yōu)良的綜合性能將成為下一代光電子材料,因此對氧化鋅（ZnO）單晶的研究有重要的理論和實踐意義。