電池片的制作工藝

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影響因素

1. 溫度

溫度 T 越高，擴(kuò)散系數(shù) D 越大，擴(kuò)散速度越快。

2. 時(shí)間

對于恒定源：時(shí)間 t 越長結(jié)深越深，但表面濃度不變。

對于限定源：時(shí)間 t 越長結(jié)深越深，表面濃度越小。

3. 濃度

決定濃度是因素：氮?dú)饬髁俊⒃礈亍?

表面濃度越大，擴(kuò)散速度越快。

4. 第三組元

主要是摻硼量對擴(kuò)散的影響，雜質(zhì)增強(qiáng)擴(kuò)散機(jī)制。在二元合金中加入第三元素時(shí)，擴(kuò)散系數(shù)也會(huì)發(fā)生變化。摻硼量越大，擴(kuò)散速率越快。即電阻率越小，越容易擴(kuò)散。

控制點(diǎn)

方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。

方塊電阻： 表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。 R= 電阻率 *L/S, 對方塊硅片，長度等于寬度，則 R= 電阻率 / 厚度，方塊電阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：電化學(xué)濃度， Xj ：擴(kuò)散結(jié)深。

晶硅太陽能電池板的制作過程

晶硅太陽能光伏板的制做全過程 

3、去磷硅玻璃該加工工藝用以太陽能電池片生產(chǎn)加工全過程中，根據(jù)有機(jī)化學(xué)浸蝕法也即把硅片放到鹽酸水溶液中侵泡，使其造成放熱反應(yīng)轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸，以除去外擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表層產(chǎn)生的一層層磷硅玻璃。在外擴(kuò)散全過程中，POCL3與O2反映轉(zhuǎn)化成P2O5淀積在硅片表層。P2O5與Si反映又轉(zhuǎn)化成SiO2和磷分子，那樣就在硅片表層產(chǎn)生一層層帶有磷原素的SiO2，稱作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的機(jī)器設(shè)備通常由本身、清理槽、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)軟件、機(jī)械手臂、電氣系統(tǒng)和全自動(dòng)配酸系統(tǒng)軟件等一部分構(gòu)成，關(guān)鍵能源有鹽酸、N2、空氣壓縮、純凈水，熱排風(fēng)系統(tǒng)和污水。鹽酸可以融解sio2由于鹽酸與sio2反映轉(zhuǎn)化成容易揮發(fā)的四氟化硅汽體。若鹽酸過多，反映轉(zhuǎn)化成的四氟化硅會(huì)深化與鹽酸反映轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸。 

4、低溫等離子刻蝕因?yàn)樵谕鈹U(kuò)散全過程中，即便選用背對背外擴(kuò)散，硅片的全部表層包含邊沿都將難以避免地外擴(kuò)散上磷。PN結(jié)的反面所搜集到的光生電子器件會(huì)順著邊沿外擴(kuò)散有磷的地區(qū)流進(jìn)PN結(jié)的反面，而導(dǎo)致短路故障。因而，務(wù)必對太陽電池附近的夾雜硅開展刻蝕，以除去充電電池邊沿的PN結(jié)。一般 選用低溫等離子刻蝕技術(shù)性進(jìn)行這一加工工藝。低溫等離子刻蝕是在底壓情況下，反映汽體CF4的孕媽分子結(jié)構(gòu)在頻射輸出功率的激起下，造成電離并產(chǎn)生等離子技術(shù)。等離子技術(shù)是由感應(yīng)起電的電子器件和正離子構(gòu)成，反映波導(dǎo)管中的汽體在電子器件的碰撞下，除開轉(zhuǎn)化成正離子外，還能消化吸收動(dòng)能并產(chǎn)生很多的特異性基團(tuán)。特異性反映基團(tuán)因?yàn)橥鈹U(kuò)散或是在靜電場功效下抵達(dá)SiO2表層，在那邊與被刻蝕原材料表層產(chǎn)生放熱反應(yīng)，并產(chǎn)生揮發(fā)物的反映反應(yīng)物擺脫被刻蝕化學(xué)物質(zhì)表層，被超濾裝置抽出來波導(dǎo)管。

太陽電池片標(biāo)準(zhǔn)

5 、 檢測方法

5.1 設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)

5.1.1   基體材料

電池的基體材料應(yīng)按相關(guān)詳細(xì)規(guī)范的要求及檢測方法進(jìn)行檢測。

5.1.2   電極

5.1.2.1  電池電極的完整性、電極圖形位移的檢驗(yàn)應(yīng)使用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的標(biāo)準(zhǔn)尺測量。

5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下，目測電極是否變色。

5.1.2.3 電池電極的導(dǎo)電性按 GB/T17473.3  進(jìn)行。

5.1.2.4 電池電極的可焊性按 GB/T17473.7  進(jìn)行。

5.1.3 背面鋁膜

5.1.3.1 背面鋁膜與基體材料的匹配性檢測

通過檢測電池的彎曲變形，驗(yàn)證背面鋁膜材料的熱膨脹系數(shù)與基體材料的匹配性。適用表面平整度優(yōu)于 0.01mm 平臺(tái)，電池背面朝下水平放置，用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的量具進(jìn)行檢驗(yàn)。

5.1.3.2 背面鋁膜與基體材料的附著強(qiáng)度測驗(yàn)

如圖 2 所示放置樣品，在滿足 EVA 充分交聯(lián)的條件下壓層，取出后立即撕下四氟布，待冷卻到室溫后，用刀割斷 EVA 和鋁膜，撕去 EVA 條，觀察有無鋁膜脫落。

5.1.3.3 背面鋁膜外觀檢驗(yàn)

背面鋁膜的凸起高度應(yīng)使用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的帶標(biāo)尺的光學(xué)顯微鏡測量，圖形缺陷采用目測。圖形位移采用分辨力優(yōu)于 0.02mm 的卡尺測量。

5.1.3.4 背面鋁膜的導(dǎo)電性檢測背面鋁膜的導(dǎo)電性按GB/T17473.3 進(jìn)行。

5.1.4  減反射膜附著強(qiáng)度檢測

減反射膜附著強(qiáng)度的測試采用膠帶試驗(yàn)測定粘合性的方法，膠帶附著強(qiáng)度不小于 44N/mm 。具體按 ASTM3359 進(jìn)行，減反射膜不脫落。

電池片各工序影響因素及異常情況

電池片各工藝流程危害要素及異?，F(xiàn)象 

4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對密度類似沒受NaOH濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著，濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過段時(shí)間后，金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時(shí)，各向異性系數(shù)縮小，絨面會(huì)愈來愈差，類似打磨拋光?？煽匦运剑号cIPA相近，線性度不高。 

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效，使反映不會(huì)很強(qiáng)烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點(diǎn)，生長發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點(diǎn)兒Na2SiO3多的那時(shí)候要立即的排出去，Na2SiO3傳熱性差，會(huì)危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑。可控性水平：沒辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘?jiān)蛩峋邆渌岷徒j(luò)合劑的雙向功效，硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

基準(zhǔn)點(diǎn)1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對密度高，尺寸適度，勻稱。

操縱范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒有白斑病，贓污。