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尺寸漲縮原因分析
膠片在光繪前沒(méi)有經(jīng)過(guò)預(yù)置
由于膠片制造時(shí)無(wú)法預(yù)先控制膠片中的濕度與每個(gè)生產(chǎn)車(chē)間的濕度一致,因此使用之前應(yīng)先使其與工作環(huán)境達(dá)到平衡的狀況。建議預(yù)置時(shí)間為12小時(shí),預(yù)置時(shí)必須打開(kāi)膠片的內(nèi)包裝,使其與外界的空氣充分接觸。
烤版時(shí)還要注意:①烤版箱內(nèi)的紅外燈管一定要橫向排列,如縱向排列,往往導(dǎo)致印版瓦楞狀變形而影響使用。②烤版膠濃度要合適,如烤版膠太稠,烤版效果和上墨效果也不會(huì)令人滿意;如烤版膠太稀,烤出的版容易上臟。③烤版溫度不能過(guò)高,溫度過(guò)高也會(huì)導(dǎo)致鋁版基韌化和發(fā)軟,樹(shù)脂層焦化,影響耐印力??景鏁r(shí)間太長(zhǎng)易導(dǎo)致印版上臟,烤版時(shí)間太短達(dá)不到烤版的效果。光掩膜一般也稱光罩,是微電子制造中光刻工藝所使用的圖形母版,由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜圖形,并通過(guò)曝光將圖形轉(zhuǎn)印到產(chǎn)品基板上??瓷先ブ瓢婀に嚥皇翘珡?fù)雜,但要想制作出合格的印版,確實(shí)需要操作人員用心曬版,用心加工印版。
光刻(英語(yǔ):photolithography)是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。③烤版溫度不能過(guò)高,溫度過(guò)高也會(huì)導(dǎo)致鋁版基韌化和發(fā)軟,樹(shù)脂層焦化,影響耐印力。
集成電路(英語(yǔ):integrated circuit,縮寫(xiě):IC;德語(yǔ):integrierter Schaltkreis)、或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在電子學(xué)中是一種把電路(主要包括半導(dǎo)體設(shè)備,也包括被動(dòng)組件等)小型化的方式,并時(shí)常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。另有一種厚膜(thick-film)集成電路(hybrid integrated circuit)是由獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)組件,集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。建議預(yù)置時(shí)間為12小時(shí),預(yù)置時(shí)必須打開(kāi)膠片的內(nèi)包裝,使其與外界的空氣充分接觸。