測試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降 整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。測試工作電壓：10kV（整體設備滿足GB19517—2009標準外，局部絕緣電壓應滿足測試需求）18）其他輔件。

3、技術指標 * 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA；3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3。 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

測試大功率元件應用范例說明？

2011年，我們在深圳地鐵運營公司前海車輛段大修車間，進行了實際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測試，其中一部份由于損毀嚴重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進入實質的參數(shù)量測，也有全新的IGBT，量測結果完全合乎出廠規(guī)格.對其測試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無法測試給機車在使用帶來的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問題。型IGBT大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試測試、篩選、分析，。用戶能對舊品元件作篩選，留下可用元件，確實掌握設備運轉的可靠度。