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NR9 3000P光刻膠公司承諾守信「多圖」

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發(fā)布時(shí)間:2020-07-23 07:45  






正性光刻膠

正性光刻膠

正性光刻膠也稱(chēng)為正膠。正性光刻膠樹(shù)脂是一種叫做線性酚醛樹(shù)脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的粘附性、化學(xué)抗蝕性,當(dāng)沒(méi)有溶解存在時(shí),線性酚醛樹(shù)脂會(huì)溶解在顯影液中,感光劑是光敏化合物,常見(jiàn)的是重氮萘醌(DNQ)。在曝光前,DNQ是一種強(qiáng)烈的溶解,降低樹(shù)脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻膠中化學(xué)分解,成為溶解度增強(qiáng)劑,大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應(yīng)會(huì)在DNQ中產(chǎn)生羧酸,它在顯影液中溶解度很高。2μm品牌產(chǎn)地型號(hào)厚度耐熱溫度應(yīng)用Futurrex美國(guó)PR1-500A0。正性光刻膠具有很好的對(duì)比度,所以生成的圖形具有良好的分辨率。


光刻膠市場(chǎng)

全球光刻膠市場(chǎng)擴(kuò)增,對(duì)光刻膠的總需求不斷提升。據(jù)估計(jì),2015年國(guó)際光刻膠市場(chǎng)達(dá)73.6億美元,其中PCB光刻膠占比24.5%,LCD光刻膠占26.6%,半導(dǎo)體光刻膠占比24.1%。2010年到2015年期間,國(guó)際光刻膠市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率約為5.8%;同種厚度的正負(fù)膠,在對(duì)于抗?jié)穹ê透g性方面負(fù)膠更勝一籌,正膠難以企及。據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù),2015年,PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠的國(guó)際市場(chǎng)增速均在5%左右。在下游產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)下,江瀚咨詢預(yù)計(jì)國(guó)際光刻膠市場(chǎng)規(guī)模在2022年可能突破100億美元。


光刻膠去除

半導(dǎo)體器件制造技術(shù)中,通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。

在現(xiàn)有技術(shù)中,去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于去膠機(jī)內(nèi),在射頻電壓的能量的作用下,灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發(fā)生反應(yīng),從而將光刻膠層去除。

而在一些半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)時(shí),考慮到器件性能要求,需要對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行離子注入,使其滿足各種器件不同功能的要求。一部分閃存產(chǎn)品前段器件形成時(shí),需要利用前面存儲(chǔ)單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域,由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時(shí)的阻擋層,在摻雜的過(guò)程中,光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子,這使得光刻膠外面形成一層堅(jiān)硬的外殼。通過(guò)在較高溫度下進(jìn)行烘培,可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來(lái)(前烘后溶劑含量降至5%左右),從而降低了灰塵的沾污。

這層堅(jiān)硬的外殼可以采取兩種現(xiàn)有方法去除:方法一,采用濕法刻蝕,但這種工藝容易產(chǎn)生光刻膠殘留;方法二,先通過(guò)干法刻蝕去除硬光刻膠外殼,再采用傳統(tǒng)的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法,但是這種方式增加了一步工藝流程,浪費(fèi)能源,而且降低了生產(chǎn)效率;超過(guò)80%市場(chǎng)份額掌握在日本住友、TOK、美國(guó)陶氏、美國(guó)futurrex等公司手中,國(guó)內(nèi)公司中,蘇州瑞紅與北京科華實(shí)現(xiàn)了部分品種的國(guó)產(chǎn)化,但是整體技術(shù)水平較低,僅能進(jìn)入8英寸集成電路生產(chǎn)線與LED等產(chǎn)線。同時(shí),傳統(tǒng)的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時(shí),光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內(nèi)部的熱量的散發(fā),光刻膠內(nèi)部膨脹應(yīng)力增大,導(dǎo)致層多晶硅倒塌的現(xiàn)象。


NR9-1000py

問(wèn)題回饋:

1.我們是LED制造商,麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

A 據(jù)我所知,F(xiàn)uturrex

有幾款膠很,NR7-1500P

NR7-3000P是專(zhuān)門(mén)為離子蝕刻

設(shè)計(jì)的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。

2.請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有可以替代goodpr1518,Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品?

A 美國(guó)光刻膠,F(xiàn)uturrex

正膠PR1-2000A

, 去膠液RR4,和顯影液RD6可以解決以上問(wèn)題。

3.你們是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品?

A 我們建議使用Futurrex

PR1-500A , 它有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):比較好的解析度,比較好的線寬控制,

反射比較少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~

4. 求助,耐高溫的光阻是那一種?

A Futurrex, NR7 serious(負(fù)光阻)Orpr1 serious(正光阻),再經(jīng)過(guò)HMCTS

silyiation process,可以達(dá)到耐高溫200度,PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

5.厚膜光阻在鍍金應(yīng)用上,用哪一種比較理想?

A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的濕膜更加適合,和理想。

6.請(qǐng)教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合?

A 可以考慮使用Futurrex

,正型光阻PR1,負(fù)型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7.請(qǐng)問(wèn),那位專(zhuān)家知道,RIE

Mask,用什么光阻比較好?

A 正型光阻用PR1系列,負(fù)型光阻使用NR5,兩種都可以耐高溫180度。

8.一般厚膜制程中,哪一種光阻適合?

A NR9-8000P有很高的深寬比(超過(guò)4:1),一般厚膜以及,MEMS產(chǎn)品的高需求。

9.在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎?

A 建議不使用,因?yàn)槭褂肗R5-8000更加理想和適合。

10.我們是OLED,我們有一種制程上需要一層SPACER,那種光阻適合?

A 有一種膠很適合,美國(guó)Futurrex

生產(chǎn)的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers



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