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發(fā)布時(shí)間:2020-11-06 07:59  






光刻膠的分類(lèi)

以下是賽米萊德為您一起分享的內(nèi)容,賽米萊德專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)光刻膠,歡迎新老客戶(hù)蒞臨。

硅片制造中,光刻膠的目的主要有兩個(gè):(1)將掩模版圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中;(2)在后續(xù)工藝中,保護(hù)下面的材料(例如刻蝕或離子注入阻擋層)。

分類(lèi)

光刻膠的技術(shù)復(fù)雜,品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理,可分負(fù)性膠和正性膠兩類(lèi)。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之,對(duì)某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。圖1是正性膠的顯影工藝與負(fù)性膠顯影工藝對(duì)比結(jié)果示意圖 [2]  。



負(fù)性光刻膠原理

又稱(chēng)光致抗蝕劑,是一種由感光樹(shù)脂、增感劑(見(jiàn)光譜增料)和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。

原理

光刻膠在接受一定波長(zhǎng)的光或者射線時(shí),會(huì)相應(yīng)的發(fā)生一種光化學(xué)反應(yīng)或者激勵(lì)作用。光化學(xué)反應(yīng)中的光吸收是在化學(xué)鍵合中起作用的處于原子外層的電子由基態(tài)轉(zhuǎn)入激勵(lì)態(tài)時(shí)引起的。對(duì)于有機(jī)物,基態(tài)與激勵(lì)態(tài)的能量差為3~6eV,相當(dāng)于該能量差的光(即波長(zhǎng)為0.2~0.4μm的光)被有機(jī)物強(qiáng)烈吸收,使在化學(xué)鍵合中起作用的電子轉(zhuǎn)入激勵(lì)態(tài)?;瘜W(xué)鍵合在受到這種激勵(lì)時(shí),或者分離或者改變鍵合對(duì)象,發(fā)生化學(xué)變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質(zhì)后,因與物質(zhì)具有的電子相互作用,能量逐漸消失。電子束失去的能量轉(zhuǎn)移到物質(zhì)的電子中,因此生成激勵(lì)狀態(tài)的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發(fā)光刻膠的化學(xué)反應(yīng)。

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光刻膠的組成

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樹(shù)脂( resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)( 如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等);感光劑,感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng);溶劑(Solvent),保持光刻膠的液體狀態(tài),使之具有良好的流動(dòng)性;添加劑( Additive ),用以改變光刻膠的某些特性,如改善光刻膠發(fā)生反射而添加染色劑等。負(fù)性光刻膠。樹(shù)脂是聚異戊二烯,一-種天然的橡膠;溶劑是;感光劑是一種經(jīng)過(guò)曝光后釋放出氮?dú)獾墓饷魟?,產(chǎn)生的自由基在橡膠分子間形成交聯(lián)。從而變得不溶于顯影液。負(fù)性光刻膠在曝光區(qū)由溶劑引起泡漲;曝光時(shí)光刻膠容易與氮?dú)夥磻?yīng)而抑制交聯(lián)。



光刻膠的組成部分

光刻膠一般由4種成分組成:樹(shù)脂型聚合物、光活性物質(zhì)、溶劑和添加劑。樹(shù)脂是光刻膠中占比較大的組分,構(gòu)成光刻膠的基本骨架,主要決定曝光后光刻膠的基本性能,包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩(wěn)定性等。光活性物質(zhì)是光刻膠的關(guān)鍵組分,對(duì)光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。

分辨率、對(duì)比度和敏感度是光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展,芯片制造特征尺寸越來(lái)越小,對(duì)光刻膠的要求也越來(lái)越高。光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)包括分辨率、對(duì)比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要,光刻膠朝著高分辨率、高對(duì)比度以及高敏感度等方向發(fā)展。

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