制作電容器的常見材料

精度能達(dá)到0.5級(jí)，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次。

一般來說，低壓電容器的原資料決議了其功能的體現(xiàn)和制造本錢及銷售價(jià)格，所以本文將具體評(píng)論下現(xiàn)在市面上常見的電容器產(chǎn)品的質(zhì)料挑選狀況，關(guān)于電容器能有更好的了解。

資料一:固體電介質(zhì)

一般電力電容器的固體介質(zhì)為電容器紙，跟著電容器產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，塑料薄膜也被引進(jìn)電容器的出產(chǎn)制造中，而且在近幾年薄膜介質(zhì)的電力電容器現(xiàn)已逐漸成為電容器市場上的主流1產(chǎn)產(chǎn)品。它們的功能各有長處。電暈是由于在介質(zhì)/電極層之間存在空隙而產(chǎn)生的，它除了可以產(chǎn)生損壞設(shè)備的寄生信號(hào)外，還會(huì)導(dǎo)致電容器介質(zhì)擊穿。電容器紙e較大及浸漬功能好，所以一直被電容器選用，而塑料薄膜的技能越來越成熟,其長處也正在顯示出來。

由于紙和膜各有其特色.現(xiàn)在有的用紙、膜復(fù)合介質(zhì)來制造電力電容器的資料也是市面上比較常見的一種做法.。

資料二:液體電介質(zhì)

液體介質(zhì)在電力電容器資猜中用作浸漬劑.以填充固體介質(zhì)中的空地，然后進(jìn)步介質(zhì)的介電常數(shù)和耐電強(qiáng)度.改進(jìn)局部放電特性和散熱條件等。 這幾年電容器資猜中挑選十二烷基ben、二芳荃乙2烷((S油)的產(chǎn)品也被廣泛應(yīng)用。而蓖麻抽因e大，在脈沖電容器中得到了應(yīng)用。在收音機(jī)高頻和中頻放大器，電視機(jī)高頻放大器中，采用這種中和電容電路，以消除自激。三氯聯(lián)ben電氣功能較 安穩(wěn).但由于它具有毒性而被淘汰. 。

資料三:電極材科

大部分的電極資料都是鋁箔，在并聯(lián)低壓電容器中，也 有用金屬化的方法作為電極 。這個(gè)沒有什么好講的,由于性價(jià)比的聯(lián)系,現(xiàn)在鋁箔現(xiàn)已被很多而且廣泛運(yùn)用在電力電容器的出產(chǎn)資猜中.

嚴(yán)格控制運(yùn)行電壓防止電容故障

并聯(lián)電容器的運(yùn)行電壓，必須嚴(yán)格控制在允許范圍之內(nèi)。即并聯(lián)電容器的長期運(yùn)行電壓不得大于其額定電壓值的10%，運(yùn)行電壓過高，將大大縮短電容器的使用壽命。隨著運(yùn)行電壓的升高，并聯(lián)電容器的介質(zhì)損耗將增大，使電容器溫度上升，加快了電容器絕緣的老化速度，造成電容器內(nèi)絕緣過早老化、擊穿而損壞。此外，在過高的運(yùn)行電壓作用之下，電容器內(nèi)部的絕緣介質(zhì)會(huì)發(fā)生局部老化，電壓越高，老化越快，壽命越短。隨著技術(shù)水平的發(fā)展，電子、家電、通訊等多個(gè)行業(yè)更新?lián)Q代周期越來越短，而薄膜電容器憑借其良好的電工性能和高可靠性，成為推動(dòng)上述行業(yè)更新?lián)Q代不可或缺的電子元件。

并聯(lián)電容器長期運(yùn)行電壓若高于其額定電壓的20%，其使用壽命將是正常情況的0.3倍左右。

所以，應(yīng)根據(jù)當(dāng)?shù)仉娋W(wǎng)運(yùn)行電壓的實(shí)際情況，合理選擇額定電壓值，使其長期運(yùn)行電壓不大于電容器額定電壓值的1.1倍，當(dāng)然實(shí)際運(yùn)行電壓過低也是十分不利的，因?yàn)椴⒙?lián)電容器所輸出的無功功率是與其運(yùn)行電壓的平方成正比的。若運(yùn)行電壓過低，將使電容器輸出的無功功率減少，無法完成無功補(bǔ)償?shù)娜蝿?wù)，失去了裝設(shè)并聯(lián)補(bǔ)償電容器應(yīng)起的作用。3安裝時(shí)不應(yīng)拉扯電容器出線瓷套，自愈式電容器，緊固螺栓時(shí)不應(yīng)用力過猛，以防掰斷電容器瓷套的接線柱。所以在實(shí)際運(yùn)行中，一定要設(shè)法使并聯(lián)電容器的運(yùn)行電壓長期保持在其額定電壓的95%～105%，較高運(yùn)行電壓不得大于其額定電壓值的110%

電容器的投切方式二

精度能達(dá)到0.5級(jí)，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次

電子式無觸點(diǎn)可控硅投切電容器裝置（TSC）可控硅投切電容器，是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過零觸發(fā)電路，檢測當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí)，發(fā)出觸發(fā)信號(hào)，可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會(huì)產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導(dǎo)通運(yùn)行時(shí)，可控硅結(jié)間會(huì)產(chǎn)生一伏左右的壓降，通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個(gè)可控硅消耗功率約為22W。如以一個(gè)150KVAR電容柜來算，運(yùn)行時(shí)可控硅投切裝置消耗的功率可達(dá)600W，而且都變成熱量，使機(jī)柜溫度升高。同時(shí)可控硅有漏電流存在，當(dāng)未接電容時(shí)，即使可控硅未導(dǎo)通，其輸出端也是高電壓。優(yōu)點(diǎn)：無涌流，無觸點(diǎn)，使用壽命長、維修少，投切速度快（5ms內(nèi)）；若運(yùn)行電壓過低，將使電容器輸出的無功功率減少，無法完成無功補(bǔ)償?shù)娜蝿?wù)，失去了裝設(shè)并聯(lián)補(bǔ)償電容器應(yīng)起的作用。缺點(diǎn)：價(jià)格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右