晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過(guò)大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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了解 KOAN 晶振及其相關(guān)知識(shí)的重要性

KOAN 晶振在電子設(shè)備中被用作時(shí)鐘或頻率基準(zhǔn)源，堪稱設(shè)備心臟，直接影響設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)水平和穩(wěn)定性；其與外圍電路匹配振蕩輸出信號(hào)，而較好的電容匹配和理想負(fù)電阻決定著信號(hào)波形質(zhì)量，因此需要對(duì)晶體及外圍回路的關(guān)鍵電性能參數(shù)深入了解，才能實(shí)現(xiàn)高標(biāo)準(zhǔn)匹配。

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晶體諧振器

關(guān)于晶體諧振器小型化發(fā)展的激勵(lì)功率控制問(wèn)題：晶體越小，震蕩所需能量越少，如果驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度過(guò)大會(huì)引起副震蕩和熱過(guò)沖，晶體頻率變化率與驅(qū)動(dòng)電流平方成比例，產(chǎn)生幅頻效應(yīng)，振幅過(guò)大，會(huì)破壞晶片內(nèi)部機(jī)理，使動(dòng)態(tài)電感下降，振動(dòng)質(zhì)量下降，嚴(yán)重時(shí)失效。