離子束刻蝕

離子束刻蝕以離子束為刻蝕手段達到刻蝕目的的技術(shù)，其分辨率限制于粒子進入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束較小直徑約10nm，離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)較小可能不會小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下，較以較快的直寫速度進行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結(jié)構(gòu)。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。

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濕法刻蝕

濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕優(yōu)點是選擇性好、重復性好、生產(chǎn)、設備簡單、成本低。

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離子束刻蝕機

離子束技術(shù)的應用涉及物理、化學、生物、材料和信息等許多學科的交叉領域。離子束加工在許多精密、關(guān)鍵、高附加值的加工模具

等機械零件的生產(chǎn)中得到了廣泛應用。一些國家用于軍事裝備的建設上，如改善蝸輪機主軸承、精密軸承、齒輪、冷凍機閥門和活塞的性能。離子注入半導體摻雜已成為超大規(guī)模集成電路微細加工的關(guān)鍵工藝，導致出現(xiàn)了80年代集成電路產(chǎn)業(yè)的騰飛。

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利用低能量平行Ar 離子束對基片表面進行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率較高，陡真性較好的方法，它可以對所有材料進行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體、超導體等。

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